Aurix TC3xx从HSM写入DFLASH1时出现SQER错误，怎么解决？

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在 Aurix TC3xx 中，从 HSM 写入 DFLASH1 时出现 SQER (Sequence Error) 通常是由于命令序列不符合闪存控制器的要求。根据您提供的操作序列，以下是问题分析和解决方案：

问题分析

1. 
   

   错误的命令序列：

   
   
   
   
   • DFLASH 编程需要严格的命令序列：Load Page Start (0x40) → 写入 8 个数据字 → Page Write (0x47)。
   
   
   • 您的序列中：
     
     
     
     • 缺少明确的 0x40（加载页面开始命令）。
     
     
     • 未正确写入 8 个数据字到页面缓冲区。
     
     
     • 0x47（页面写入命令）的触发地址错误（应为目标 DFLASH 地址，而非寄存器地址）。
     
     
   
   
   
   


2. 
   

   寄存器地址误用：

   
   
   
   
   • 0xF00400C0 是 FLASH1_FSR（状态寄存器），向其写入数据无意义。
   
   
   • 0xF00555F0、0xF005AA50 等地址属于 PFLASH 空间，而不是 DFLASH 的页面缓冲区地址。
   
   
   
   


3. 
   

   页面缓冲区地址错误：

   
   
   
   
   • DFLASH1 的页面缓冲区基地址应为 0xF0050000（参考 TC3xx 手册）。
   
   
   • 您使用的 0xF00555F0 等地址不正确。
   
   
   
   


4. 
   

   关键命令缺失：

   
   
   
   
   • 未发送 0x40 初始化页面缓冲区。
   
   
   • 未发送 0x47 到目标 DFLASH 地址触发写入。
   
   
   
   

解决方案

1. 正确的命令序列

// 步骤 1: 初始化页面缓冲区 (Load Page Start)

*(volatile uint32_t *)0xF0050000 = 0x40;  // 基地址: DFLASH1 页面缓冲区 (0xF0050000)

while ((*(volatile uint32_t *)0xF00400C0 & 0x1) != 0); // 等待 FSR.BUSY=0



// 步骤 2: 写入 8 个连续数据字（32-bit）到页面缓冲区

*(volatile uint32_t *)0xF0050000 = data0; // 地址偏移 +0

*(volatile uint32_t *)0xF0050004 = data1; // 地址偏移 +4

...

*(volatile uint32_t *)0xF005001C = data7; // 地址偏移 +28 (共 8 个字)

// 每次写入后无需额外命令，但需检查 BUSY（如有必要）



// 步骤 3: 触发页面写入 (Page Write) 到目标 DFLASH 地址

*(volatile uint32_t *)0xAFC10000 = 0x47;  // 目标地址必须是合法的 DFLASH 地址

while ((*(volatile uint32_t *)0xF00400C0 & 0x1) != 0); // 等待 BUSY=0

关键点：

• 页面缓冲区地址：0xF0050000（DFLASH1 专用）。


• 0x47 必须写入 目标 DFLASH 物理地址（如 0xAFC10000），而非寄存器地址。

2. 其他注意事项

• 等待 BUSY 清除：
  
  
  
  • 每次命令后检查 FSR.BUSY（地址 0xF00400C0 的 bit0），确保前一个操作完成。
  
  


• 地址对齐：
  
  
  
  • DFLASH 页面大小为 256 字节（64 个 32 位字）。目标地址（如 0xAFC10000）必须对齐到页面边界。
  
  


• HSM 权限：
  
  
  
  • 确保 HSM 固件有权访问 DFLASH1。检查 UCB_DFLASH 权限配置。
  
  


• 错误处理：
  
  
  
  • 检查 FSR 寄存器错误标志（如 SQER、PROER）：
    

    if (*(volatile uint32_t *)0xF00400C0 & 0x2) { 
    
    // 处理 SQER 错误
    
    *(volatile uint32_t *)0xF00400C0 |= 0x2; // 写 1 清除错误标志
    
    }

  
  

3. 调试建议

1. 
   

   验证 DFLASH 状态：

   
   
   
   
   • 确保目标页面已擦除（全为 0xFFFFFFFF）。
   
   
   • 使用 0x71（Verify All One）命令校验：
     

     *(volatile uint32_t *)0xAFC10000 = 0x71; // 发送校验命令
     
     while (FSR.BUSY);
     
     if (FSR.VER) { /* 验证失败 */ }

   
   
   
   


2. 
   

   简化测试用例：

   
   
   
   
   • 仅写入单页（8 个数据字），避免复杂数据流。
   
   
   • 示例数据：{0x12345678, 0x00000000, ..., 0xFFFFFFFF}。
   
   
   
   


3. 
   

   检查寄存器映射：

   
   
   
   
   • 确认 HSM 使用的 DFLASH 控制器寄存器：
     
     
     
     • 命令寄存器：FLASH1_FCR = 0xF00400C4
     
     
     • 状态寄存器：FLASH1_FSR = 0xF00400C0
     
     
   
   
   • 不要直接向 FSR 写入数据（除非清除错误标志）。
   
   
   
   

修正后的完整示例

#define DFLASH_PAGE_BASE   0xF0050000 // DFLASH1 页面缓冲区

#define DFLASH_TARGET_ADDR 0xAFC10000 // DFLASH 目标地址

#define FSR                (*(volatile uint32_t *)0xF00400C0)



void write_dflash_page(uint32_t *data) {

    // 1. 初始化页面

    *(volatile uint32_t *)DFLASH_PAGE_BASE = 0x40; // Load Page Start

    while (FSR & 0x1); // 等待 BUSY=0



    // 2. 写入 8 个数据字

    for (int i = 0; i < 8; i++) {

        *(volatile uint32_t *)(DFLASH_PAGE_BASE + i*4) = data[i];

        // 可选：添加短延时或检查 BUSY（若需严格时序）

    }



    // 3. 触发写入

    *(volatile uint32_t *)DFLASH_TARGET_ADDR = 0x47; // Page Write

    while (FSR & 0x1); // 等待 BUSY=0



    // 4. 检查错误

    if (FSR & 0x2) {

        // 处理 SQER 错误

        FSR |= 0x2; // 清除错误标志

    }

}

通过遵循正确的命令序列和地址映射，即可解决 SQER 错误。如果问题仍存在，请检查：

1. HSM 对 DFLASH 的访问权限（UCB 配置）。


2. 时钟初始化（确保闪存控制器时钟使能）。


3. 电压稳定性（低电压可能导致闪存操作失败）。