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功率器件测量系统参数明细

2025-7-29 16:21:17 5532

0 在半导体功率器件（如IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT）的研发、生产与品控中，精准、高效、可靠的测量系统是确保器件性能达标、加速产品上市的关键。天恒科仪功率器件测量系统集尖端硬件与智能软件于一体，为功率半导体行业提供全方位的测试解决方案。核心优势与设计亮点多场景广泛适配：探针台支持主流6英寸、8英寸、12英寸晶圆满足不同研发与生产阶段需求。高温卡盘兼容Banana、BNC、SMA、TRAX、HVTRAX等多种测试接口，轻松对接各类测试环境。直流、脉冲、高压、大电流、高频探针均可灵活配置，覆盖各类功率器件的测试信号需求。极致精度与稳定性：微米级运动控制： XYZ轴微调精度达1μm，探针平台微调精度1μm，确保定位精准，接触可靠。精密温度控制：高温卡盘温度分辨率0.1°C，稳定性±0.1°C (PID算法)，为高温特性测试提供稳定基底。高分辨率成像： 0.5μm光学分辨率，配合2000万像素高清相机，实现微观结构精确定位与测量。强大参数覆盖与智能软件：超宽电气范围： IV/CV仪表支持±10kV高压、±1500A大电流，多频CV测量范围1kHz-5MHz。高测量精度：电压分辨率200μV，电流分辨率10μA 智能化测试软件：提供实时IV曲线、CV曲线显示，强大的参数设置（扫描模式、步长、延迟、循环）、数据滤波、自动量程调整、积分时间控制等功能，支持GPIB、RS232、USB、LAN通讯。详细参数解析精密探针台系统：高速精准定位： XY轴快速移动行程8x8英寸，自动寻址；微调精度1μm。Z轴微调精度1μm。高温卡盘系统：同轴结构设计：支持背带电测试，减少引线电感影响，提升高频、大电流测试精度。采用PID算法实现室温至+400°C宽范围、高稳定性的温度控制。高性能IV/CV仪表：极限参数能力： ±10kV高压、±1500A大电流输出与测量能力，满足最苛刻的功率器件静态、动态参数测试需求选型指南：应用领域晶圆级测试(Chip Probing)：在研发阶段快速筛选器件原型，评估工艺参数影响。在生产线上进行晶圆级分选(Wafer Sort)，剔除不良品，提升后端封装良率。功率器件研发与特性分析：全面表征器件静态参数（IV特性：BVdss, Rds(on), Vth, Igss等）和动态参数研究器件在不同温度下的性能表现功率模块测试与验证：对封装完成的功率模块（如IGBT模块、SiC模块）进行单体或半桥/全桥功能测试与参数验证。新能源与工业应用器件检测：服务于光伏逆变器、新能源汽车电驱&OBC、工业变频器、充电桩等领域的核心功率半导体器件（Si基, SiC, GaN）的研发、来料检验( IQC) 和失效分析(FA)。 0 本主题由 liuyongwangzi 于 2025-7-29 17:10 审核通过
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