[问答]

MPC5744P C55闪存驱动程序，间歇擦除怎么解决？

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 我们正在调查闪存的特定部分未按预期擦除的两个问题。我们使用的是 v.1.1.0 c-array 软件驱动程序，直到构建了新一批硬件，才观察到此问题。MCU 具有掩码集 1N15P 和日期代码 CTBJ2308A。没有启用中断，缓存被禁用，代码在 RWW 分区 1 中运行，被擦除/编程的闪存在 RWW 分区 4、5 或 6 中。所有块都已解锁。问题 1：在设备完全断电期间，软件作是阻止将 RAM 的内容复制到闪存中的部分（在分区 4 或 5 中），然后关闭电源。我们看到的是，在擦除/编程过程中，会发生机器检查异常 - 目前的想法是，当读取未成功擦除（因此实际上已被双重编程）的闪存单元时，这发生在程序验证功能期间。异常处理程序使用 MCAR 寄存器来识别哪个块包含错误，并尝试再次擦除该块。然后 MCU 重新启动。软件再次启动，并将一组保留的闪存数据（即完全正确且未损坏）复制到 RAM 中。然后，应用程序软件将立即尝试关闭电源，导致相同的循环重复。我们看到，通过此过程经过一定数量的循环（通常在 3-8 次之间）后，MCU 能够成功擦除内存部分，并且单元最终断电。使用调试器查看内存显示擦除未成功完成。问题 2：另一台设备显示相同的问题（明显无法擦除），但这次是在将应用程序软件下载到 RWW 分区 6 期间。这一次，特定块0x1080000不会按预期擦除。（例如）0x1040000 的内存已正确编程。此批处理中的所有其他单元都使用相同的软件完美编程。问题：除了闪存的电源电压不稳定之外，是否有其他硬件外部因素会影响闪存编程能力？是否有适用于此设备的更高闪存驱动程序可用？我们注意到面具是 2018 年的，但驱动程序是 2015 年的。是否有其他人报告过 MCU 具有此日期代码的问题？我们在前几批商品中没有看到这个问题。 0 本主题由 Harmony技术专家于 2025-4-10 16:26 审核通过
2025-4-10 06:55:58　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × chm5 该类别下有 45 个回答。邀请回答 wang21cj 该类别下有 36 个回答。邀请回答新星之火12138 该类别下有 34 个回答。邀请回答 gdfffa 该类别下有 25 个回答。邀请回答 hgimtk 该类别下有 25 个回答。邀请回答 fdhsfagd 该类别下有 23 个回答。邀请回答 lifei639156 该类别下有 23 个回答。邀请回答 heks 该类别下有 23 个回答。邀请回答艾玛该类别下有 22 个回答。邀请回答 dahairenlyy 该类别下有 22 个回答。邀请回答 fhbding 该类别下有 22 个回答。邀请回答自我清欢该类别下有 21 个回答。邀请回答一转十年该类别下有 21 个回答。邀请回答 h1654155957.9520 该类别下有 21 个回答。邀请回答站着幻想该类别下有 21 个回答。邀请回答 xiaolu511 该类别下有 21 个回答。邀请回答秦小姐9048 该类别下有 21 个回答。邀请回答 zhang先生该类别下有 21 个回答。邀请回答 C880U 该类别下有 21 个回答。邀请回答云汉007 该类别下有 20 个回答。邀请回答举报李丽相关推荐 • DEVKIT-MPC5744P串行引导加载程序的问题如何解决？ 587 • C55闪存驱动程序是否可以在S32DS上使用？ 531 • 如何对MPC5744P进行编程？ 575 • 在MCU MPC5744P上，需要SENT模块软件驱动，求分享 786 • 设计了一个关于mpc5744p板子，电路设计基本上都是按照mpc5744p电路，请问为什么烧写程序烧不进去？ 6073 • 如何为MPC5744P配置内存保护单元？ 744 • MPC5744P标志如何保留在RAM中？ 528 • 如何验证MPC5744P FPU是否正常工作？ 709 • 求助，索取有关在带有MPC5744P MCU的RD33771 EVB中启用锁步功能的文档 841 • 有没有办法在MPC5744P中为每个应用程序配置一个内存区域而不必为每个区域设置进程ID ？ 426 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 针对MPC5744P C55闪存驱动程序的间歇擦除问题，以下是逐步解决方案：问题分析硬件批次差异：新硬件可能存在电源管理或时序特性变化。驱动兼容性：旧版驱动可能未适配新批次MCU。双位ECC错误：擦除失败导致读取时触发机器检查异常。擦除序列完整性：首次擦除失败可能与时序或状态检查不充分有关。解决方案步骤 1. 验证电源稳定性与断电时序监测电压波动：在擦除/编程期间使用示波器监测VDD_FLASH和MCU电源，确保无跌落或毛刺。延长断电延迟：在发起断电命令前，增加足够延时（如100ms），确保闪存操作完成。硬件修改：在电源路径添加去耦电容（如10μF钽电容+0.1μF陶瓷电容），抑制噪声。 2. 更新闪存驱动程序获取最新驱动：联系NXP支持，确认v1.1.0驱动是否兼容掩码集1N15P及新批次MCU，必要时升级到修复版本。时序参数调整：在驱动中延长擦除命令后的等待时间，例如将`tERASE`从标准值增加20%。关键代码段检查：确保擦除序列严格遵循数据手册步骤，示例伪代码： `FLASH_CR.B.ERS = 1; // 使能擦除模式 FLASH_CR.B.START = 1; // 启动擦除 while (FLASH_SR.B.BUSY); // 等待操作完成 if (FLASH_SR.B.ERR) { // 检查错误标志 // 错误处理 }` 3. 处理ECC错误与异常启用ECC检查：确认FMCR[ECC_EN]位已置位，确保双位错误能被检测。异常处理程序：在机器检查异常处理中读取MCSR寄存器，分析错误类型： `uint32_t mcsr = GET_MCSR(); if (mcsr & MCSR_ECC_ERR) { // 执行ECC错误恢复流程 }` 错误恢复策略：检测到ECC错误后，重试擦除操作，并记录错误地址以供诊断。 4. 增强擦除流程鲁棒性双重验证擦除结果：擦除后读取整个块，确认所有字为0xFFFFFFFF。重试机制：首次擦除失败后，插入10ms延时，重发擦除指令最多3次。状态轮询优化：结合状态寄存器轮询与超时机制（例如500ms超时），避免无限等待。 5. 硅缺陷排查与硬件协作联系NXP支持：提供MCU批次信息（CTBJ2308A），确认是否存在已知勘误或需特定工作流程。交叉测试：将故障批次MCU替换为旧批次，验证问题是否重现，缩小硬件问题范围。 6. RWW分区操作合规性检查确认分区映射：使用MPC5744P的RWW配置工具，确保分区1与4/5/6无地址重叠。避免并发访问：在擦除分区4/5/6期间，确保分区1的代码不会访问其他闪存区域。实施验证电源测试：在擦除期间捕获电源波形，确认无异常。驱动更新测试：使用修正后的驱动执行100次擦除/编程循环，统计失败率。异常监控：通过调试器触发擦除异常，确认处理程序能正确恢复。总结通过优化电源设计、更新驱动、增强错误处理及严格遵循硬件操作规范，可系统性解决擦除间歇性问题。若上述步骤无效，需联合硬件厂商进行深度诊断，包括可能的硅级故障分析。

2025-4-15 18:03:54 评论举报王伟