请问VBAT_DCDC =1.8V 的 LPC55S1x的加速时间要求是什么?

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关于LPC55S1x的VBAT_DCDC电源斜坡时间要求，以下是详细的技术分析和建议：

1. 电压与斜坡时间的关系

• 数据表中的条件：当VBAT_DCDC=3.6V时，最小上升时间为0.5ms（温度范围0-105°C）。这一时间要求是基于电压变化率（dV/dt）的稳定性需求，而非电压绝对值的线性关系。


• 用户的假设问题：您提出的将1.8V的上升时间按比例缩减为0.25ms（即3.6V的50%）存在风险。因为：
  
  
  
  • 电源斜坡时间的要求通常与芯片内部电路的电源监控逻辑（如POR，Power-On Reset）相关，其设计可能基于绝对电压阈值，而非相对比例。
  
  
  • 即使电压更低，若电压上升过快（即dV/dt过高），仍可能导致内部逻辑状态不稳定，例如POR电路可能无法正确复位。
  
  

2. 温度与斜坡时间的关联

• 低温环境（-40°C）：允许的上升时间上限为2.6ms。这可能是由于低温下半导体材料的载流子迁移率降低，需要更长的稳定时间。


• 高温环境（0-105°C）：要求更严格的0.5ms上限，因为高温下漏电流增加，过慢的上升可能导致器件在亚稳态下长时间运行，引发闩锁效应（Latch-up）或热击穿。

3. 对1.8V供电的建议

• 保守设计：若数据表未明确支持1.8V的斜坡时间，建议直接遵循3.6V的规范（0.5ms），而非按比例缩减。因为：
  
  
  
  • 更快的上升时间（如0.25ms）可能导致电压变化率（dV/dt）过高，超出芯片内部电路的容限。
  
  
  • 1.8V供电可能属于低压模式（需确认数据表是否允许），其内部电源管理逻辑可能需要与3.6V不同的时序。
  
  


• 验证方法：
  
  
  
  1. 联系NXP技术支持确认1.8V是否支持，以及是否需要调整斜坡时间。
  
  
  2. 在实际硬件中测试不同上升时间（如0.25ms、0.5ms、2.6ms），观察启动成功率和长期稳定性。
  
  
  3. 使用示波器监控VBAT_DCDC的上升沿，确保无过冲或振荡。
  
  

4. 违反斜坡时间的风险

• 启动失败：POR电路可能无法正确复位，导致内核或外设未初始化，表现为代码不执行或外设无响应。


• 器件损坏：
  
  
  
  • 过快的上升时间（高dV/dt）可能引发瞬时过电流或电压应力，损坏内部MOSFET。
  
  
  • 过慢的上升时间（低温下>2.6ms）可能导致电源轨长时间处于亚稳态，增加闩锁概率。
  
  


• 潜在隐性问题：即使芯片看似正常工作，长期运行中可能出现偶发性复位或寄存器配置错误。

5. 硬件设计建议

• 添加RC延迟电路：在VBAT_DCDC电源路径中串联电阻并并联电容（例如R=10Ω，C=10μF），通过调整RC常数控制上升时间。


• 使用软启动电源芯片：选择支持可调软启动的LDO或DCDC（如TPS63001），通过SS引脚电容设定上升时间。


• 温度补偿设计：在低温环境中，可适当增加RC时间常数（如NTC热敏电阻动态调整）。

6. 参考资料

• AN13033文档：第4.2节明确要求VBAT_DCDC的上升时间需满足数据表规格，无论电压如何。


• 数据表电气特性表：查阅"Power-up/down timing"参数，确认是否有针对不同电压的注释。

结论

不可直接假设1.8V的斜坡时间为0.25ms。应优先遵循数据表中3.6V的0.5ms要求，或通过实验验证1.8V的可靠性。若系统必须使用1.8V供电，需与NXP确认芯片是否支持该电压下的操作，并重新评估电源时序设计。