完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦, 立即完善>
TPS1120DR的技术参数
产品型号:TPS1120DR FET数:2 漏源电压(V):-15 持续漏极电流(VGS=-10V)最大值(A):-1.700 静态漏源直流电阻 (VGS=-10V)典型值(mΩ):180 通道极性:P沟道 封装/温度(℃):8SOIC/-40~85 描述:双路P沟道增强方式MOSFET 价格/1片(套):¥13.40 相关型号:DTD113ZK SI4834 LM4050BIM3X-5.0 VN750SM 74HC125DB http://www.yule2000.com/DTD113ZK_ic.htm http://www.yule2000.com/SI4834_ic.htm http://www.yule2000.com/LM4050BIM3X-5.0_ic.htm http://www.yule2000.com/VN750SM_ic.htm http://www.yule2000.com/74HC125DB_ic.htm |
|
相关推荐
1 个讨论
|
|
253 浏览 0 评论
352 浏览 0 评论
1978 浏览 1 评论
2214 浏览 0 评论
这是汽车360全景控制器上的主板,请问圆圈中的原件是什么,起什么作用?
2226 浏览 0 评论
小黑屋| 手机版| Archiver| 电子发烧友 ( 湘ICP备2023018690号 )
GMT+8, 2024-11-8 23:30 , Processed in 0.587518 second(s), Total 66, Slave 50 queries .
Powered by 电子发烧友网
© 2015 bbs.elecfans.com
关注我们的微信
下载发烧友APP
电子发烧友观察
版权所有 © 湖南华秋数字科技有限公司
电子发烧友 (电路图) 湘公网安备 43011202000918 号 电信与信息服务业务经营许可证:合字B2-20210191 工商网监 湘ICP备2023018690号