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TPS1120DR的技术参数
产品型号:TPS1120DR FET数:2 漏源电压(V):-15 持续漏极电流(VGS=-10V)最大值(A):-1.700 静态漏源直流电阻 (VGS=-10V)典型值(mΩ):180 通道极性:P沟道 封装/温度(℃):8SOIC/-40~85 描述:双路P沟道增强方式MOSFET 价格/1片(套):￥13.40 相关型号：DTD113ZK SI4834 LM4050BIM3X-5.0 VN750SM 74HC125DB http://www.yule2000.com/DTD113ZK_ic.htm http://www.yule2000.com/SI4834_ic.htm http://www.yule2000.com/LM4050BIM3X-5.0_ic.htm http://www.yule2000.com/VN750SM_ic.htm http://www.yule2000.com/74HC125DB_ic.htm 
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