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我目前想要计算每个晶体管的DC集电极电压和电阻,忽略 基极电流,beta=400 厄尔利电压=200V, 为了计算Q1的集电极电压和电流应该需要先知道它发射极的参数吧,请问这种电路如何确定Q1的发射极电阻? |
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1个回答
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在这种情况下,我们可以通过以下步骤来确定Q1的发射极电阻:
1. 确定晶体管的类型和参数:首先,我们需要知道Q1是NPN还是PNP晶体管,以及其最大集电极电流(Ic_max)、最大集电极-发射极电压(Vce_max)等参数。这些参数可以从晶体管的数据手册中找到。 2. 确定电源电压:我们需要知道电源电压(Vcc),这通常在电路图中给出。 3. 计算Q1的集电极电压(Vc):由于我们忽略了基极电流,我们可以假设集电极电流(Ic)等于发射极电流(Ie)。根据厄尔利电压(200V),我们可以计算Q1的集电极电压(Vc): Vc = Vcc - Ic * Rc 4. 计算Q1的发射极电压(Ve):由于我们忽略了基极电流,我们可以假设发射极电压(Ve)等于集电极电压(Vc)减去0.7V(对于NPN晶体管)或0.3V(对于PNP晶体管): Ve = Vc - 0.7V(对于NPN晶体管)或 Ve = Vc - 0.3V(对于PNP晶体管) 5. 计算Q1的发射极电流(Ie):由于我们忽略了基极电流,我们可以假设发射极电流(Ie)等于集电极电流(Ic)。我们可以通过以下公式计算Ie: Ie = Ic = (Vc - Ve) / Re 6. 计算Q1的发射极电阻(Re):现在我们已经知道了发射极电压(Ve)和发射极电流(Ie),我们可以计算Q1的发射极电阻(Re): Re = (Vc - Ve) / Ie 通过以上步骤,我们可以确定Q1的发射极电阻。需要注意的是,这些计算假设了晶体管工作在放大区,且忽略了基极电流。在实际应用中,可能需要考虑其他因素,如温度、晶体管的早期效应等。 |
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