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铨力授权一级代理商 AP2222D 20V N沟道增强型MOSFET 描述:
AP2222D采用先进的沟槽技术
可提供出色的RDS(ON)
低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作
该器件适用于用作电池保护器或其他开关应用
特点:
VDS=20V
ID=50A
RDS(ON) < 10.5mΩ @ VGS=4.5V (Type:8.5mΩ)
应用:
电池保护
负载开关
不间断电源
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