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实现快速、平稳、高效的电源管理及电能转换。 通过采用最先进的沟槽栅工艺技术和电流通路布局结构，实现了功率密度最大化，从而大幅度降低电流传导过程中的导通损耗。 同时，电流在芯片元胞当中的流通会更加均匀稳定； 应对于高频率的开关应用，我们为设计师们提供低开关损耗的系列产品，其有效降低了栅极电荷（Qg），尤其是栅极漏极间的电荷（Qgd），从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。 MOSFET 在适配器中的典型应用 重点推荐物料
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