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概述本例程主要讲解如何对芯片自带Flash进行读写,用芯片内部Flash可以对一些需要断电保存的数据进行保存,无需加外部得存储芯片,本例程采用的是STM32F030R8T6,64K大小的Flash。 硬件准备首先需要准备一个开发板,这里我准备的是NUCLEO-F030R8的开发板: 选择芯片型号使用STM32CUBEMX选择芯片stm32f030r8,如下所示: 配置时钟源HSE与LSE分别为外部高速时钟和低速时钟,在本文中使用内置的时钟源,故都选择Disable选项,如下所示: 配置时钟树STM32F0的最高主频到48M,所以配置48即可: 串口配置本次实验使用的串口1进行串口通信,波特率配置为115200。 生成工程设置注意在生产工程设置中不能出现中文,不然会报错。 生成代码配置keil代码在main.c中,添加头文件,若不添加会出现 identifier "FILE" is undefined报错。
函数声明和串口重定向:
变量定义:
如果要对FLASH进行写入数据,需要执行以下四步:
擦除只能是按页或者整块擦除。 芯片说明手册下载地址: STM32F030芯片内部的Flash存储器内存分布如下: STM32F030R8T6的Flash容量是64KB,所以只有63页,每页1KB。 我们可以写入到页60中,即0x08007000-0x080073FF中。 由于单片机是32位,故连续写入多个uint32_t的数据时,地址应该依次增加4。
主程序
演示效果通过keil查看地址也可以看到,值正确写入。 最后 |
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