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5个回答
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在回答您的问题之前，我需要先了解一下您提到的电路的具体连接方式。但是，我可以为您提供一些关于三极管驱动PMOS管的一般性建议和可能存在的问题。
1. 左边电路的隐患： 如果左边电路中的100K电阻连接在三极管基极和地之间，那么这个电路可能存在以下隐患： a. 当三极管导通时，PMOS管的栅极电压可能过高，导致PMOS管导通过度，从而损坏器件。 b. 当三极管截止时，PMOS管的栅极电压可能过低，导致PMOS管无法完全关闭。 2. 右边电路的功能区别： 如果右边电路中的100K电阻连接在三极管基极和PMOS管栅极之间，那么这个电路的功能区别可能如下： a. 这个电阻可以限制三极管基极电流，防止三极管过热或损坏。 b. 这个电阻可以提供一个稳定的栅极电压，使PMOS管在三极管导通时能够更好地导通，而在三极管截止时能够更好地关闭。 总之，左边电路和右边电路的主要区别在于100K电阻的位置，这会影响三极管驱动PMOS管的性能和稳定性。为了确保电路的安全和可靠性，建议您根据实际应用需求选择合适的电路设计。 |
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左边电路，三极管可以深度饱和导通，但Pmos管的S极与G极电位差是BAT+的0.1倍，不一定导通。说明书中的参数如下： 右边电路，三极管可能不是处于深度饱和状态，Pmos管G的电位比较高，不会导通。 |
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栅极电阻R36取值太大，网上有很多文章讲这个栅极电阻的作用和取值，可以去搜下。至于左边电路的隐患，我的经验看不出什么隐患，希望有人能给分析下。右边电路是不可靠的，MosFet的开启要尽量的快，否则会发热
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2024-5-31 17:45:14
评论
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没看出区别，一样一样的吧
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一般来说,只是三极管工作在不一样的工作区间,会多少影响三极管不身的工作状态,关键选择三极管的不同工作状态来满足MOS关闭及导通在瞬间能够及时的稳定正常的工作,才是最终目的,还是需要适当调试MOS在这个期间的工作状态,再确认哪一种更合适才功率好适应MOS管的正常工作.
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