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请教大家问题:
FSMC读写NAND后,如何能够拉高NCE片选信号,以求降低功耗! 手册和实际测试结果只能通过bank切换才能实现!bank2和bank3可以单独切换,释放NCE,但如何同时释放NC呢? 不知道大家有没有遇到这样的问题! 谢谢大家 |
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1个回答
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在FSMC(Flexible Static Memory Controller)读写NAND闪存后,为了降低功耗,确实需要拉高NCE(NAND Chip Enable)片选信号。以下是一些建议,帮助您实现这一目标:
1. 确保在FSMC读写操作完成后,及时释放NCE信号。这可以通过在读写操作完成后,将NCE引脚设置为高电平来实现。 2. 如果您使用的NAND闪存支持多个Bank,可以利用这一点来降低功耗。在FSMC读写操作完成后,切换到另一个Bank,这样当前Bank的NCE信号就可以被拉高,从而降低功耗。 3. 对于同时释放NC(NAND Control)的问题,您可以尝试以下方法: a. 在FSMC读写操作完成后,将NC引脚设置为高电平,以释放控制信号。 b. 如果您的NAND闪存支持多个Bank,可以在切换Bank的同时,将NC引脚设置为高电平,以实现同时释放NC的目的。 4. 如果上述方法仍然无法实现同时释放NC,您可以考虑使用硬件电路来实现这一功能。例如,使用一个逻辑门电路,当FSMC读写操作完成后,自动将NC引脚设置为高电平。 5. 在实际应用中,您可能需要根据具体的NAND闪存型号和FSMC控制器的特性,进行一些调整和优化。建议仔细阅读NAND闪存和FSMC控制器的数据手册,了解它们的工作原理和特性,以便找到最佳的解决方案。 |
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