[问答]

STM32F030 FLASH存储，第二次或者多次写入或者擦除的时候读取不到数据是为什么？

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 最新在用STM32F030 因为没有外部存储设备，现在用的是芯片的FLASH来当存储，现在遇到的问题是刷一次程序后，第一次读取可以读取到，当第二次或者多次写入或者擦除的时候读取不到数据，这种情况是为什么啊？很疑惑，看正点原子和野火都可以，但是实际用的时候不知道为什么只能读取一次正确的数据，剩下的读取到的都是FF FF 0 本主题由 Harmony技术专家于 2024-4-10 17:41 审核通过
2024-4-10 07:34:12　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × heks 该类别下有 50 个回答。邀请回答 hgimtk 该类别下有 44 个回答。邀请回答新星之火12138 该类别下有 42 个回答。邀请回答 wang21cj 该类别下有 41 个回答。邀请回答 chm5 该类别下有 40 个回答。邀请回答 hjfjsdgfjdsf 该类别下有 37 个回答。邀请回答 fdjslkjd 该类别下有 35 个回答。邀请回答 uvysdfydad 该类别下有 35 个回答。邀请回答 werywer 该类别下有 35 个回答。邀请回答 h1654155957.9520 该类别下有 35 个回答。邀请回答 jenny042 该类别下有 34 个回答。邀请回答 dfzvzs 该类别下有 34 个回答。邀请回答维生素B2 该类别下有 34 个回答。邀请回答凤毛麟角该类别下有 34 个回答。邀请回答 ggfvxv 该类别下有 33 个回答。邀请回答刘洋该类别下有 33 个回答。邀请回答 meihuacg 该类别下有 33 个回答。邀请回答 hfgdzc 该类别下有 33 个回答。邀请回答 lining870815844 该类别下有 32 个回答。邀请回答 h1654155275.6678 该类别下有 32 个回答。邀请回答举报王秀珍相关推荐 • STM32f030内部的FLASH擦写时间是多少 2966 • STM32F767ZGT6连续调用两次rt_spi_transfer读取同一个地址，第二次读取的时反馈之异常变为0怎么解决？ 998 • stm32F407第一次数据没有进行接收，第二次数据发送时才进行接，为什么？ 192 • STM8flash区有上次刷写未擦除的数据，对新程序有无影响？ 2133 • 在STM32G030F6P6中将变量保存到FLASH时为什么会报错？ 155 • 调用元器件时第二次按I为什么就没有反应了？ 1427 • labview怎么记录exe关闭前配置的数据，并在第二次打开时作为启动数据 4757 • 读取文本文件函数,为什么第二次读不出来字符? 2515 • 请问第二次走线时怎么把上一次的替换掉 1208 • labview数据库第二次取数出现问题 1524 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 这种情况可能是由于以下几个原因导致的： 1. 擦除操作未完成：在进行多次擦除操作时，需要确保每次擦除操作都已经完成，否则可能会导致数据读取不到。可以通过读取相关标志位（例如FLASH_SR中的BSY位）来判断擦除操作是否完成。 2. 写入操作未完成：在进行多次写入操作时，需要确保每次写入操作都已经完成，否则可能会导致数据读取不到。可以通过读取相关标志位（例如FLASH_SR中的BSY位）来判断写入操作是否完成。 3. 地址对齐问题：在写入或擦除FLASH时，需要确保操作的地址是按照正确的块大小对齐的。例如，如果你在写入字节时，地址应为偶数地址；如果是写入半字，则地址应为4的倍数；如果是写入字，则地址应为8的倍数。 4. 数据保护机制：在STM32F030系列芯片中，有可能存在写保护机制，该机制可以防止对某些区域的FLASH进行写入操作。你可以检查FLASH_OPTSR寄存器中的WRP位，确认写保护是否被启用并且相关区域是否被保护。 5. 程序逻辑错误：检查一下你的程序逻辑是否有误，确保在读取数据之前已经正确地进行了擦除和写入操作。以上是一些可能导致你遇到问题的原因，你可以仔细检查其中的每个方面，找出问题所在。

2024-4-10 18:18:13 评论举报杨万富