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首先,需知道MOS管为四端器件,即 S G D B,你说的body effection 与B有关
其次,需要知道为什么要考虑body effection. 衬底效应可以影响到阈值电压,源漏电流等 再三,在模拟电路设计中绝对要避免或降低body effection的影响;在存储器的存储阵列设计中必须考虑body effection,这样可以避免串扰 还有很多很多需要注意的,有时间和大家慢满说..........{:soso_e100:} |
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