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本帖最后由 jf_50240986 于 2024-3-8 22:51 编辑 串接NPN型晶体管的情况。晶体管基极要求注入电流,产生电流的电压必须高于(Vo+Vbe),约为(Vo+1)。若基极串接一个电阻,则电阻输入端电压必须高于(Vo+1)以使电流流过。而最经济易行的方法是用串接晶体管的供电电压(初始直流电压)向基极电阻供电。 但是,初始直流电压(网压低限输入时对应的纹波谷值)不能与(Vo+1)(额定基极输入电压)太接近。若太接近,则串联电阻R的阻值必须很小,以使大电流输出时仍可提供足够的基极电流。但这样做,在网压高限输入(Vdc-Vo很大)时,Rp将向基极提供过大电流使大量电流转向电流放大器而加大其损耗。 正是因为存在上述问题,所以要求网压低限输入时对应的纹波谷值电压必须比输出电压保有2.5 V(而非1 V)最小压差。这样做使Rp基本成为恒流电阻,流过Rp的电流在整个输入网压波动范围内基本不变。 后面这几句话怎么理解? |
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4个回答
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你都不配一个图,虽然我大概想象出了你说的电路,并且知道为什么是那样。但是还是不敢随意猜测。等你画出图再说吧。
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还是需要一个合适的基准电压才能够控制输出的电压值,一般这样的电路都可以正常控制电压的大小,只是需要严格1合适的基础电压做为参照才可以在基础电压值上控制输出稳定的电压.
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如图所示: Vbe由三极管的发射结特性决定,数值没有太大的变化(文中假设为1V左右)。调整管的基极电流Ib大小取决于负载电流Iout,等于Iout/β(β为调整管的电流放大倍数),当负载电流不变的情况下,Ib也基本不变。Vr为电阻R上的压降,大小等于基极电流Ib*R。 电源的输入电压Vdc必须大于输出电压V0加上发射结电压Vbe,再加上电阻上的压降Vr。其中V0、Vbe都是定值不可能再减小,只有Vr能改变。因Vr=Ib*R,当负载电流决定后,Ib也就决定了。要降低Vr,只能减小Rb的阻值。 文中最后几句话表达的意思是: 当输入电压Vdc太低,接近V0+Vbe,或者说Vr基本接近0V,此时为了获得足够的基极电流,电阻Rb的阻值必须很小。但是当输入的电源电压升高时,Vr也会随之升高,电阻将流超过负载需要的大电流,超过的电流将转向电流放大器(本图中未画出),加大了损耗。所以文中最后建议,电源输入电压必须要比V0+1更高,以便于选择更大的限流电阻Rb。当选择的Rb足够大(此时设计的输入电源电压也会比较高),基极电流Ib会在整个输入网压波动范围内基本不变,相对稳定,近似于恒流源。 譬如,同等输出电流Iout的情况下,若V0=10V,Vdc=11.1(较低),Vr就只有0.1V。如果需要基极电流Ib=10mA,则Rb=10Ω。如果某时刻,电源电压升高5%,则Vdc=11.1*1.05=11.66V,Vr就有0.56V。此时基极电流Ib=56mA,多出了46mA需要电流放大器去损耗。如果设计的Vdc为15V(较高),Vr就有4V,则Rb=400Ω。此时电源电压升高5%,则Vdc=15*1.05=15.75V,Vr升高为4.75V。此时基极电流Ib=11.9mA,仅多出了1.9mA,电流放大器损耗大大减少了。 |
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分析开关管驱动晶体管驱动的情况,可以从以下几个方面进行考虑:
1. 晶体管基极注入电流和电流流过的电压:根据题目中的描述,晶体管基极要求注入电流,产生电流的电压必须高于(Vo+Vbe),约为(Vo+1)。因此,驱动晶体管的电压源,例如基极串接的电阻输入端电压必须高于(Vo+1),以使电流能够流过。 2. 初始直流电压的选择:初始直流电压(网压低限输入时对应的纹波谷值)不能与(Vo+1)(额定基极输入电压)太接近。如果太接近,为了能够提供足够的基极电流,在串联电阻R的阻值必须很小,这样才能在大电流输出时仍能够提供足够的基极电流。 3. 电阻输入端电压和电阻阻值:为了保证足够的基极电流,最经济易行的方法是用串接晶体管的供电电压(初始直流电压)向基极电阻供电。但是,要保证足够的基极电流,电阻输入端电压必须高于(Vo+1)。而为了在网压高限输入(Vdc-Vo很大)时不造成过大电流,需要确定合适的电阻阻值。 4. 网压高限输入和电流放大:当网压高限输入(Vdc-Vo很大)时,Rp将向基极提供过大电流,这会导致大量电流转向电流放大器而加大电流。因此,需要考虑如何合理设计电路,避免过大电流的问题。 总之,在分析开关管驱动晶体管驱动时,需考虑基极电流和电流流过的电压、初始直流电压的选择、电阻输入端电压和阻值,以及网压高限输入和电流放大等因素,合理设计电路以满足要求。 |
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99.9%的ACDC开关电源都会因为这个隐蔽BUG导致自身或者后级电路过早失效
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