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本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:04 编辑
(以N管为例) 简单来说就是: 1. 栅极加正电压(VGS>VTH),形成纵向电场,吸引电子、排斥空穴,在栅氧化层下形成电子导电沟道,将源极和漏极连起来。 2. 漏极加正电压(VDS>0),形成横向电场,电子逆着电场方向漂移到漏极,形成漏极到源极的电流。 深入了解: 1. 如果栅极家的电压不够大,即VGS 2. 栅极电压越大,纵向电场就越强,吸引的电子就越多,导电沟道中的电子浓度也就越大,在相同的漏极电压下,产生的电流也越大。因此MOS管是压控器件,通过栅极电压来控制电流的大小。 3. 由于漏极电压是比源极电压高的(VD>VS,VDS=VD-VS>0),因而VGD (注:忽略沟道长度调制效应) 5. 之所以会发生4中所描述的现象,是因为,在连接漏极的导电沟道没有被夹断之前,整个导电沟道被视作一个横向的电阻,加大横向的电压,电流当然会变大。但是在夹断之后,无论漏极的电压多大,由于栅极到夹断点的电压都是VTH,因而横向导电沟道上(源极到夹断点)所加的电压都只有VGS-VTH那么大,所以多余的电压全部加在漏极和导电沟道之间的耗尽区(电阻非常大,因为没有载流子);而电流大小是取决于导电沟道的电子浓度(由栅极电压控制)和加在导电沟道上的电压(此时恒定)的,因而此时电流不受漏极电压控制,只受栅极电压控制。 (注:不考虑漏极击穿和漏源穿通) 前面一个是线性区,后面一个是饱和区,这是根据漏极电压对电流的控制效果来命名的,即受控与不受控。 转载自http://cxtke.com/ |
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