[经验]

场效应管的分类和区别

2024-1-30 11:51:42

709 MOS 结型场效应管

1、结型场效应管分为N沟道和P沟道两种类型。这里的沟道是指导电的主要离子，N沟道为电子，P沟道为空穴。
为使N沟道场效应管能够正常工作，应在其栅源之间加负向电压，以保证耗尽层承受反向电压；在漏源之间加正向电压，以形成漏极电流。N沟道场效应管在不加控制电压时导电沟道是低阻状态，加上控制电压沟道电阻逐渐变大。
如果在栅源之间加正向电压，沟道电阻会越来越小失去控制的作用。漏极和源极可以互换。
为使P沟道场效应管能够正常工作，应在其栅源之间加正向电压，以保证耗尽层承受反向电压；在漏源之间加正向电压，以形成漏极电流。N沟道场效应管在不加控制电压时导电沟道是低阻状态，加上控制电压沟道电阻逐渐变大。
如果在栅源之间加负向电压，沟道电阻会越来越小失去控制的作用。漏极和源极可以互换。
2、绝缘栅型场效应管分为N沟道和P沟道，每一种又分为增强型和耗尽型。
N沟道增强型MOS管在其栅源之间加正向电压，形成反型层和导电沟道，沟道电阻由小变大，最后在驱动电压和漏源极电压的作用下保持不变，漏极电流先增大后不变。
N沟道耗尽型MOS管，SIO2绝缘层掺入大量正离子，即使不加栅源电压，也会形成反型层和导电沟道，在此基础上加正向电压沟道电阻变小，加反向电压导电沟道变小，而且反向电压减小到一定程度反型层消失导电沟道消失。
P沟道增强型MOS管在其栅源之间加负向电压，形成反型层和导电沟道，沟道电阻先小后大，最后在驱动电压和漏源极电压的作用下保持不变，漏极电流先增大后不变。
P沟道耗尽型MOS管，SIO2绝缘层掺入大量负离子，即使不加栅源电压，也会形成反型层和导电沟道，在此基础上加负向电压沟道电阻变小，加正向电压导电沟道变小，而且正向电压减小到一定程度反型层消失导电沟道消失。

本主题由从前有座_山于 2024-1-30 14:17 审核通过