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上图是我仿真的电路图,在电源叠加交流的状态下,由于后端电容的充放电,导致电流超过阈值。 以至芯片进行限流。 而且一旦正向电流开始超出阈值,MOSFET的温度会快速上升,面对这种情况只能通过给MOSFET散热的方式来增加可靠性么? 在ISO16750-2上要求控制器在电源叠加交流状态下工作在CLASS A。 1.请问可以采用什么措施来降低叠加交流对此电路的影响? 2.在负载中含有DCDC电路之类的感性电路时,对此保护电路是否会造成影响,会不会导致电路直接进入保护? 3.针对MOSFET选型,对于负载突降实验,可能达到较高的电压,是否意味着MOSFET必须选择耐压需要超过实验中的最高电压,这样对MOSFET的选型有一定的要求,MOSFET需要高耐压大功率小Rdson,最终可能比大功率TVS的体积还要大。有没有什么解决办法。 |
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