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开关电源里的电源开关管都是工作在非线性区域,就是只有两种状态,一个是饱和导通,一个是截止。如果工作在线性区域,则开关管的功耗将非常的大,因为DS导通电阻大,电流也大,就会有很大的功率损耗而导致开关电源关烧毁。并且也不经济。
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在开关电源中,当MOSFET导通时,D(Drain)和S(Source)之间的电压接近于0,主要有以下几个原因: MOSFET的导通特性:当MOSFET处于导通状态时,它的通道形成一个低阻抗路径,允许电流从D端流向S端。由于该通道的低阻抗,D-S之间的电压几乎为零。 内部电阻的影响:MOSFET内部有一定的电阻存在,称为导通时的导通电阻(RDS(on))。该电阻相对较小,当电流通过MOSFET时,在D-S之间会产生一个较小的电压降,接近于零。 MOSFET的设计特性:现代MOSFET通常被设计成具有低导通电阻和低电压降的特性。这样可以最大限度地减少功耗和热量产生,提高开关电源的效率。 需要注意的是,虽然D-S之间的电压接近于零,但实际上并不是完全为零。存在的电压降被称为导通电压降(VDS(on)),它的大小取决于MOSFET的特性和工作条件。导通电压降较小有助于减少功耗和热量,提高开关电源的效率。 因此,当MOSFET导通时,D-S之间的电压接近于0,这是由MOSFET的导通特性和设计特点决定的。 |
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