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这个电路设计有问题。发热的原因并不是干扰脉冲,而是上桥臂mos管无法充分关断。
根据图中所画,上桥臂为P沟道MOSFET,门极电压低于24V则打开,也就是Vgs<0会打开上桥臂, 图中用了一个推挽结构作为上桥臂的驱动,当推挽结构输出高电平时,由于15K电阻上的压降,以及NPN三极管的Vbe压降,导致推挽输出的高电平会比24V低1到2V,这个电压被送到P-MOS的门极,P-MOS就处于半开通的状态,这是发热最严重的状态。 |
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