完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦, 立即完善>
|
|
相关推荐
1个回答
|
|
这个电路设计有问题。发热的原因并不是干扰脉冲,而是上桥臂mos管无法充分关断。
根据图中所画,上桥臂为P沟道MOSFET,门极电压低于24V则打开,也就是Vgs<0会打开上桥臂, 图中用了一个推挽结构作为上桥臂的驱动,当推挽结构输出高电平时,由于15K电阻上的压降,以及NPN三极管的Vbe压降,导致推挽输出的高电平会比24V低1到2V,这个电压被送到P-MOS的门极,P-MOS就处于半开通的状态,这是发热最严重的状态。 |
|
|
|
你正在撰写答案
如果你是对答案或其他答案精选点评或询问,请使用“评论”功能。
4560 浏览 1 评论
1648 浏览 0 评论
3588 浏览 1 评论
【⌈嵌入式机电一体化系统设计与实现⌋阅读体验】+磁力输送机系统设计的创新与挑战
1757 浏览 0 评论
4525 浏览 2 评论
小黑屋| 手机版| Archiver| 电子发烧友 ( 湘ICP备2023018690号 )
GMT+8, 2024-12-25 10:29 , Processed in 0.730736 second(s), Total 74, Slave 57 queries .
Powered by 电子发烧友网
© 2015 bbs.elecfans.com
关注我们的微信
下载发烧友APP
电子发烧友观察
版权所有 © 湖南华秋数字科技有限公司
电子发烧友 (电路图) 湘公网安备 43011202000918 号 电信与信息服务业务经营许可证:合字B2-20210191 工商网监 湘ICP备2023018690号