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mos管如果G端悬空的话，会使mos管导通，造成mos管因电流过大而烧毁，加电阻的作用是拉地电阻，起到限流的作用，防止其悬空导通烧毁！
MOS管是一个ESD敏感元件，本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以很容易受外界或者静电影响而带电，容易引起静电击穿。 MOS管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。 MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。 栅源间的过电压保护：如果栅源间的阻抗过高，则漏源间电压的突变会通过极间电容耦合到栅极而产生相当高的UGS电压过冲，这一电压会引起栅极氧化层永久性损坏，如果是正方向的UGS瞬态电压还会导致器件的误导通。为此要适当降低栅极驱动电路的阻抗，在栅源之间并接阻尼电阻或并接稳压值约20V的稳压管，特别要注意防止栅极开路工作。 |
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