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按照 这篇文章的说明,我能够保留和写入(并读回)专用于校准数据的 FLASH 部分。但是,当我对设备重新编程时,IDE 在编程之前将整个内存擦除干净,我们丢失了所有数据。由于我们处于调试周期,我们不断地重新编程并且每次都必须将校准写回作为第一步。有没有办法告诉IDE只擦除与程序数据对应的特定内存区域?谢谢。
修改后的链接器内存定义: /* 内存定义 */ 记忆 { DTCMRAM (xrw):原点 = 0x20000000,长度 = 128K ITCMRAM (xrw):原点 = 0x00000000,长度 = 64K RAM_D1 (xrw):原点 = 0x24000000,长度 = 512K RAM_D2 (xrw):原点 = 0x30000000,长度 = 288K RAM_D3 (xrw):原点 = 0x38000000,长度 = 64K 闪存 (rx):原点 = 0x8000000,长度 = 1792K 表(rwx):原点= 0x81C0000,长度= 128K 数据(rwx):起源= 0x81E0000,长度= 128K } 我们在编程时看到的: 擦除段0对应的内存: 擦除内存扇区 0 擦除段1对应的内存: 擦除内存扇区 14 擦除段2对应的内存: 擦除内存扇区 15 正在下载: |
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1个回答
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