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ARM11存储空间的问题

2012-5-18 21:31:17 3872

0 各位大虾好！最近在学习ARM，遇到一些问题无法解决，求帮助！我使用S3C6410，他的存储空间分为4个部分。有两个问题： 1.静态存储区分为6块，其中Bank2,3可以使用NANDFLASH控制，那么，这两个Bank总共有128*2=256M的控制，是怎么访问NANDFLASH的上G的空间的（我明白NAND是通过8个地址数据公用IO进行访问，大小不受这两个BANK的限制，既然如此，为什么这两个BANK还是要各分配128M的寻址空间呢？难道是为了控制其他设备时使用？）！ 2.动态存储区分为两块，DMC0和DMC1分别是256M和512M，这是否说明ARM11的DDR最大只支持768M？新人问两个小问题，望大家帮忙解决！！！谢谢 0
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huanghuij · 2012-5-20 09:34:40 板凳新人表示回答不了。{:soso_e122:}精神上支持，并希望尽快热心大虾帮忙解决~

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