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你好
请问CH573在交付客户之前,除了要调整晶振负载电容的寄存器,还需要调整哪些值?另外调整负载电容的时候,请问是需要测量2.4G输出的频率,还是直接测量晶振的输出脚就可以? |
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1个回答
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调整频偏,可以调整高频晶振的匹配电容,提供的接口函数如下,上电以后在main函数开头调用1次即可
/******************************************************************************* * Function Name : HSECFG_Capacitance * Description : HSE晶体 负载电容配置 * Input : c: refer to HSECapTypeDef * Return : None *******************************************************************************/ void HSECFG_Capacitance( HSECapTypeDef c ) { UINT8 x32M_c; x32M_c = R8_XT32M_TUNE; x32M_c = (x32M_c&0x8f)|(c<<4); R8_SAFE_ACCESS_SIG = SAFE_ACCESS_SIG1; R8_SAFE_ACCESS_SIG = SAFE_ACCESS_SIG2; R8_XT32M_TUNE = x32M_c; R8_SAFE_ACCESS_SIG = 0; } 内置电容默认值是16pF,可调范围10-24pF,超出此范围外,只能通过外部硬件进行调整。 调整方法可以直接测量晶体震荡,也可以通过RF的频偏进行偏差判断,然后进行调整。 批量的板子因为物料和PCB硬件雷同,所以一般比如用5-10个板子测一个比较合理的值,然后再PCB工艺和硬件不变更的情况,使用此参数即可,如果硬件有改动,最好重新再匹配一下。 |
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