IGBT模块的选择

电路

要确定主电路拓扑结构，这个和IGBT选型密切相关，额定工作电流、过载系数、散热条件决定了IGBT模块的额定电流参数，额定工作电压、电压波动、最大工作电压决定了IGBT模块的额定电压参数，引线方式、结构也会给IGBT选型提出要求，再就是考虑性价比和供货。对于一个具体的应用来说，在选择IGBT功率模块时，需要考虑其在任何静态、动态、过载（如短路）的运行情况下：

器件耐压；
在实际的冷却条件下，电流的承受力；
最适合的开关频率；
安全工作区（SOA)限制；
最高运行限制；
封装尺寸；

1、IGBT耐压的选择
因为大多数IGBT模块工作在交流电网通过单相或三相整流后的直流母线电压下，所以，通常IGBT模块的工作电压（600V、1200V、1700V）均对应于常用电网的电压等级。考虑到过载，电网波动，开关过程引起的电压尖峰等因素，通常电力电子设备选择IGBT器件耐压都是直流母线电压的一倍。如果结构、布线、吸收等设计比较好，就可以使用较低耐压的IGBT模块承受较高的直流母线电压。

2、IGBT电流的选择
半导体器件具有温度敏感性，因此，IGBT模块标称电流与温度的关系比较大。随着壳温的上升，IGBT模块可利用的电流就会下降，英飞凌IGBT模块是按壳温Tc=80℃或100℃来标称其最大允许通过的集电极电流（Ic).对于英飞凌 NPT-IGBT芯片来说，当Tc＜25℃时，这个电流值通常是一个恒定值，但是，随着Tc的增加，这个可利用的电流值下降较快，有些IGBT品牌是按照Tc=25℃的电流值来标称型号，这个需要特别注意。

3、根据开关频率选择不同的IGBT系列
IGBT的损耗主要由通态损耗和开关损耗组成，不同的开关频率，开关损耗和通态损耗所占的比例有所不同。而决定IGBT通态损耗的饱和压降Vce(sat)
和决定IGBT开关损耗的开关时间（ton,toff)又是一对矛盾，因此，应根据不同的开关频率来选择不同特征的IGBT。
在低频如fk＜10kHz时，通态损耗是主要的，这就需要选择低饱和压降型IGBT系列。对应英飞凌产品需先用后缀为DLC、KE3、KE4、ME4系列IGBT；
若开关频率在8-20kHz之间，请使用英飞凌后缀为DN2、RT4、KT4的IGBT模块.

高压1700V

FF600R17ME4(600A/1700V) FF450R17ME4(450A/1700V)

FF300R17ME4(300A/1700V) FF225R17ME4(225A/1700V)

FF500R17KE4(500A/1700V) FF400R17KE4(400A/1700V)

FZ600R17KE4/E3(600A/1700V) FZ400R17KE4(400A/1700V)

FF650R17IE4(650A/1700V) FF1000R17IE4(1000A/1700V)

FF1400R17IP4(1400A/1700V) FZ1800R17IP5(1800A/1700V)

FZ1200R17KE3(1200A/1700V) FZ1600R17KE3(1600A/1700V)

FZ2400R17KE3(2400A/1700V) FZ3600R17KE3/HP4(3600A/1700V)

中压1200v

FF900R12IP4(900A/1200V） FF1400R12IP4(1400A/1200V）

FF450R12KT4（450A/1200V） FF300R12KT4（300A/1200V）