完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦, 立即完善>
本帖最后由 HTPH 于 2022-5-8 15:22 编辑
如附件,利用氮化镓的高速开关特性。解决上升及关断的时间问题。 传统的硅材料管子,受限于体内寄生参数.速度上跑不快. 氮化镓的dv/dt远大于硅MOSFET. 利用这一特点可以很好地将氮化镓管子应于对上升沿或下降沿敏感的客户. 下图是一个说明,我们都知GAN的速试比SIC快,SIC比硅管愉快. 本例中就与SIC的MOSFET对比下 本图中,对比的是ROHM公司等同内阻同电压的产品,可以明显看到 上升的速度时间完全不一样,这进一步使得在损耗上有一定的差距 下面就大家关心的原理图介绍下. 采用50毫欧的氮化镓TP65H050G4WS可实现3000W的产品设计. 只需要二只管子. 而采用硅管,大多设计是采用并联结构来达到高效率,这样成本上也会大大提高. 更多的资料下载附件资料查看. |
|
相关推荐
|
|
如附件,利用氮化镓的高速开关特性。解决上升及关断的时间问题。 [img]https://file.elecfans.com/web2/M00/3A/89/poYBAGJEJ86AVyBkAALA7LKyleY608.png[/img] [img]https://file.elecfans.com/web2/M00/3A/8E/pYYBAGJEJ86AXX_tAAF2qO21KcY863.png[/img] |
|
|
|
|
|
小黑屋| 手机版| Archiver| 电子发烧友 ( 湘ICP备2023018690号 )
GMT+8, 2024-11-22 16:38 , Processed in 0.564606 second(s), Total 72, Slave 53 queries .
Powered by 电子发烧友网
© 2015 bbs.elecfans.com
关注我们的微信
下载发烧友APP
电子发烧友观察
版权所有 © 湖南华秋数字科技有限公司
电子发烧友 (电路图) 湘公网安备 43011202000918 号 电信与信息服务业务经营许可证:合字B2-20210191 工商网监 湘ICP备2023018690号