DRAM芯片中的记忆单元分析

2022-3-2 06:18:45 2119 矩阵 DRAM 芯片

0 某16K x 4的存储体由16个字长为1的 DRAM芯片在位方向和字方向同时扩展而成，DRAM芯片中所有的记忆单元排列成行列相等的存储矩阵。分析：由题得，16个DRAM芯片需要先在位方向扩展为4位得芯片。这时得到了4个字长为4得芯片，这四个芯片按字方向扩展得到16K，说明一块DRAM芯片存储单元数位4K.而刷新是针对每块芯片来说的，所以我们只需要研究一块芯片的刷新机制按照存储矩阵形式，得到共有2^6 = 64行才用异步刷新方式，需要在2.048ms内刷新64次所以间隔 2.048ms ÷64 = 0 某16K x 4的存储体由16个字长为1的 DRAM芯片在位方向和字方向同时扩展而成，DRAM芯片中所有的记忆单元排列成行列相等的存储矩阵。假设DRAM芯片的存取周期为500ns，刷新间隔为2.048.pdf 53.04 KB , 下载次数: 2
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