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S25FL064LABBHA020闪存S25FL064LABBHV020

2022-1-28 15:23:27 1105

0 S25FL064LABBHA020闪存S25FL064LABBHV020 西部数据宣布率先基于UFS 3.1规范协议推出iNAND MC EU521嵌入式闪存产品，新增多项功能，并进一步提高速度、容量、降低功耗，再加上11.5x13x1.0mm小型封装尺寸，专为要求高性能、低功耗的移动设备如5G手机、平板，以及嵌入式计算系统而开发设计，大幅度改善用户体验。西部数据表示，iNAND MC EU521将在3月份上市，采用主流的96层3D NAND，并充分利用UFS 3.1高带宽以及SLC NAND缓存，可提供最高800MB/s的顺序写入速度。容量方面，iNAND MC EU521提供128GB和256GB存储空间，将使移动设备在下载4K/8K视频、游戏，以及从云中进行大文件传输将更具优势。 UFS 3.1新增功能，在速度、功耗、稳定性上有新突破 2月2日，JEDEC发布的UFS 3.1标准，继续使用的是MIPI的M-PHY 4.1物理层和8b/10b线编码，MIPI基于UniPro 1.8协议的互连层（IL），每通道数据速率为HS-G4（11.6Gbps），是HS-G3(UFS 2.1)性能的2倍，符合UFS 3.1的存储设备将继续提供高达23.2 Gbps (2.9 GB/s)的理论最大带宽。与此同时，UFS 3.1标准新版本还新增几项特性：写入增强(Write Booster)、深度睡眠(Deep Sleep)、性能调整通知(Performance Throttling Notification)和主机性能提升器(Host Performance Booster)： • 写入增强：通过使用伪SLC缓存来提高写入速度； • 深度睡眠：是一种新的低功耗状态，适用于廉价的UFS设备，这些设备使用相同的稳压器进行存储和其他功能； • 性能调整通知：使UFS设备可以在过热时通知主机有关性能限制的信息，避免节流意味着更稳定的性能； • UFS主机性能增强器：将允许UFS芯片在系统DRAM中缓存UFS设备逻辑到物理（LTP）地址映射，以提高性能。 UFS主要是取代eMMC成为手机市场主流，三星、华为等高端智能型手机已实现了从eMMC向UFS的发展，2019年从UFS2.0向UFS3.0过渡。随着UFS3.1规范的发布，将使得新上市的5G手机在读写、功耗、稳定性等方面有更突出的表现。高通骁龙865处理器支持UFS 3.1，5G手机新品将上市虽然受“疫情”影响，2020年首季中国手机市场出货量会有所减少，但是全年5G手机需求可观，尤其是华为、小米、OPPO、VIVO等以5G手机为主力产品，将加快5G手机在市场上的普及。于此同时，手机市场竞争也越发激烈，2019年全球智能型手机市场，华为已超过了苹果仅次于三星排名，并有望在2020年与三星角逐全球市场霸主地位，小米与OPPO市占份额仅相差不到1%，竞争气氛越发浓烈，5G手机新品创新成为各家必杀器。目前，高通的骁龙865处理器率先支持UFS 3.1闪存和LPDDR5内存，而VIVO旗下全新5G旗舰机iQOO 3，将搭载骁龙865+UFS 3.1闪存+LPDDR5内存，读取、写入以及续航等方面大幅提升将定义2020年高性能旗舰机新标杆，预计有望刺激其他手机品牌厂跟进搭载UFS3.1的步伐。 S25FL064LABBHI030 S25FL064LABBHI033 S25FL064LABBHB020 S25FL064LABBHA023 S25FL064LABBHA020 S25FL064LABBHV020 S25FL064LABBHV023 S25FL064LABBHV030 S25FL064LABBHV033 S25FL064LABNFA010 S25FL064LABNFA011 S25FL064LABNFA013 S25FL064LABNFB010 S25FL064LABNFB011 S25FL064LABNFB013 S25FL064LABNFI010 S25FL064LABNFI011 S25FL064LABNFI013 S25FL064LABNFM010 S25FL064LABNFM011 S25FL064LABNFM013 S25FL064LABNFV010 S25FL064LABNFV011 S25FL064LABNFV013 S25FL064LABNFA040 S25FL064LABNFA043 S25FL064LABNFB040 S25FL064LABNFB043 S25FL064LABNFI040 S25FL064LABNFI041 S25FL064LABNFI043 S70FL01GSDSMFV013 S70FL01GSAGMFA013 S70FL01GSAGMFB013 S70FL01GSAGMFV011 S70FL01GSDPMFV013 S70FL01GSDSMFV010 S70FL01GSAGMFA010 S70FL01GSDPMFV010 S70FL01GSAGMFI013 S70FL01GSDPMFV011 S70FL01GSAGMFV013 S70FL01GSDPMFI010 S70FL01GSAGMFI011 0
2022-1-28 15:23:27　　评论淘帖0 举报相关推荐 • S25FL064L与S25FL064P完全兼容吗？ 3848 • S25FL064L和S25FL064P的器件ID定义是什么 2836 • S25FL064L NAND闪存不返回RDID命令的数据 3497 • S25FL128SAGBHBA00闪存芯片S25FL128SDPBHB300 1076 • S25FL256SDPMFV013闪存芯片S25FL256SDPMFIG00 472 • S25FL128SDSMFV000闪存芯片S25FL128SDPMFV011 408 • S25FL256SAGBHBA00闪存芯片S25FL256SAGBHIA03 450 • S25FL512SAGMFB010闪存芯片S25FL512SAGMFA011 993 • S25FL256LAGBHI023/S25FL256LAGBHI030/S25FL256LAGBHI033闪存芯片 828 • STM32CubeProgrammer如何通过STM32F446对S25FL064L进行编程？ 312