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本文开发环境
/*main.c中的代码*/ void FLASH_EEPROM_Write(uint32_t n); uint32_t FLASH_EEPROM_Read(void); int main(void) { uint32_t Read; HAL_Init(); SystemClock_Config(); MX_GPIO_Init(); MX_USART1_UART_Init(); //USART1串口的波特率为115200 KEY_Init(); printf("**************888888******************rn");//表示串口没有问题 Read=FLASH_EEPROM_Read(); printf("Read:%drn",Read);//每次上电读取FLASH中的内容 while (1) { FLASH_EEPROM_Write(4000); } } /** * @brief 在FLASH中存储变量值,目前并不清楚这个程序有多大,能写到多少页,先定义在第127页中 * @param 用STM32中FLASH存储空间模拟EEPROM的读写 * @retval 参数:写入要存储的值 */ void FLASH_EEPROM_Write(uint32_t n) { HAL_FLASH_Unlock(); //解锁 uint32_t PageError = 0; if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct,&PageError) == HAL_OK) //如果结构体中的起始地址0x0801FC00,这一页的数据擦除成功,返回OK { printf("擦除 成功rn"); } uint32_t writeFlashData = n; //代写入的值 uint32_t addr = 0x0801FC00; //写入的地址 HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,addr, writeFlashData); //向FLASH中写入 printf("at address:0x%x, read value:%drn", addr, *(__IO uint32_t*)addr); HAL_FLASH_Lock(); while(1); } /** * @brief 读出存储地址中的内容 * @param 用STM32中FLASH存储空间模拟EEPROM的读写 * @retval 返回值:从FLASH中读出数据 */ uint32_t FLASH_EEPROM_Read(void) { HAL_FLASH_Unlock(); uint32_t Page = 0; uint32_t addr = 0x0801FC00; //写入的地址 Page=*(__IO uint32_t*)addr; return Page; } 最后在调试助手上查看结果: 结束 |
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