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在实际的设计中,
我们时常会遇到需要负压供电的场合, 比如-15V供电的运算放大器: 比如 GaN射频功率管的栅极截止电压需要-5V: 诸如此的类应用甚是常见, 针对负压输出的电源设计, 我们的选择面很多: 比如: 采用charge pump电荷泵 ! 有时带载能力不足哦 比如: 采用变压器隔离绕组反接输出! 不是所有的主板都需要变压器的出场,磁性元件的设计轻易不敢“招惹”。 那么,还有什么简单可行的方法可以实现负压输出呢? 在本期的MPS电源小课堂中,我们将开启一段奇妙的电源拓扑变换之旅。 只要一颗唾手可得的BUCK芯片 说起分裂,你的第一反应是什么? 你会想到生物学里神奇的细胞分裂;或者想到心理学里诡异的人格分裂。 而在电源芯片的应用领域,同样存在一种奇特的分裂: 那就是任何一种BUCK芯片,皆能分裂出BUCK-BOOST的拓扑。 以一颗非同步整流的降压芯片MP2451为例,BUCK电路的接法工程师朋友已轻车熟路。 上MOS管导通时,电感储存能量; 下续流管导通时,电感释放能量; BUCK电路中:Vo/Vin =占空比D , D即是一个开关周期内上管导通时间与整个周期的比值。 在进行BUCK-BOOST变换之前,先插入一伏笔:BUCK电路中,输入与输出电容的地,及芯片的地三者共地,芯片内部所有的电位均以此地为参考。所有的元器件保持原位, 输入电容的负极依然接至输入源的负端,这里我们称之为大地,电感的输出端同样接至大地,与此同时,输出电容的负极,下管的阳极,还有芯片的地,继续保持短接,但是脱离出原先的大地,另辟蹊径形成一个新的电位,至此分裂完成。 同样分析电路的状态: 上管导通时,输入端的能量经过上开关管,至电感储存能量,然后回到输入端; 下管导通时,电感经下管续流向输出释放能量。 联立方程式,可以得到:Vo/Vin =D/(1-D) 。此公式即为经典的BUCK-BOOST的输入输出关系式! 在BUCK-BOOST中,输出升压或是降压,由占空比的大小决定: 当D小于0.5时,电路工作在降压模式; 当D大于0.5时,电路工作在升压模式。 我们完成了BUCK向BUCK-BOOST的分裂变换,还要观察是否与传统BUCK-BOOST的属性存在一定的排异反应。答案是YES。 首先,因为电感的输出端接至功率大地,故此结构只适应于负压输出的场合,比如可以用于系统中需要正负压供电的运放; 其次,Vin + | Vo | 《 SW点的最高耐压。在分裂的BUCK-BOOST结构中,SW的电压是针对芯片的地而言,故分析SW的耐压是需要在下管关断,上管导通的前提下进行。当上管导通时, SW点相对芯片地的电压为VIN-Vo,由于Vo是负压,故SW对芯片地的压差为VIN+|Vo|。所以在做BUCK-BOOST变换时,我们不仅要关注最大输入电压,同时还要知晓最大输出电压方可确定所选择的BUCK芯片是否可靠。 第三,由于芯片的地与输入电源的地不同,芯片上电时,Vin通过芯片内部给所有逻辑器件供电的LDO输出到芯片地后,再经续流二极管,流经电感,最后至功率大地,故此时施加于芯片VIN脚的最低输入电压需高于芯片的欠压保护点 (UVLO) 与续流二极管导通压降 (VD) 之和。 最后,即是关于芯片使能脚EN的供电问题,通常在通过MCU控制电源的使能管脚时,由于MCU的地与功率地共地,故需要经一电平转换电路实现给芯片EN脚的供电。 |
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