混合电压供电的移动设计两个细节

电源

本文将探讨在混合电压供电的移动设计中，混合电压电平如何提高ICC电源电流及逻辑门如何降低功耗。当前的移动设计在努力在高耗能（power-rich）的功能性和更长电池寿命的需求之间取得平衡。

低ICCT技术有利于节能

目前，大多数都备有多个电源轨，但在输进高电平（VIH）低于电源电压（VCC）时，仍可能产生不定功耗。当输进电压为电源轨电平（VIL = Gnd 或 VIH = VCC）时，CMOS一般具有极低的静态ICC和泄漏电流，故是移动应用中逻辑器件的首选技术。不过，若VIH < VCC，会发生这种情况：输进级的PMOS和NMOS晶体管可能均在不同级“导通”，此时传导电流，在这个状态期间，静态电流ICC增加，存在一条从VCC到Gnd的路径。这个增加的电流被称为ICCT电流，亦是输进电压逼近阈值时的电源电流。图1描述了这种情况。

图1：逻辑门和输入电压条件。

注释：*输进电压即是电源电压Vcc时为使用CMOS门电路的理想状态；这时ICC电流极低。

*在混合电压情况下，若Vin < VCC，ICCT电流出现，功耗也随之产生。

一般在CMOS门电路的设计中，输入电压阈值或输入切换点为VCC/2；不过，飞兆半导体的低ICCT门电路采用专有的输入电压设计，可降低输入阈值电压，增大输入电压范围，同时不影响有效逻辑低电平VIL。如前所述，当输入电压为0V或VCC时，CMOS门电路的耗电量极低，而产品数据手册通常会注明该条件下的ICC。因此，系统设计人员在VIH值小于VCC时看到ICC电流增大可能颇为惊讶。下面的图2显示了一个重新设计的输入结构的优点。图2所示的VIN-ICC 曲线图比较了一个标准CMOS输入器件和一个低ICCT输入器件。静态功率由基本DC功率公式决定：P＝ICC×VCC。在本例中，输入VIH为2.5V，标准CMOS门电路输入的功耗等于3.0mW （3.6V ×0.83mA），而低ICCT门电路的功耗只有0.003mW （3.6V×0.99uA）；也就是说，利用低ICCT器件，静态功耗降低了100%。

图2：ICC-VIN输入曲线（Vcc=3.6V， VIN=“2”.5V）。

ICC电流的增大十分重要，因为它会大幅度增加器件的静态功耗。飞兆半导体的专有低ICCT输入结构可在ICCT电流出现期间限制其范围，如图2所示。

表1：不同VIH条件下的节能潜力。

表2：飞兆半导体的NC7SVL低ICCT门电路。

表1比较了不同VCC/VIN条件下的ICCT电源电流级。从表中可看出，飞兆半导体的低ICCT门电路具有很大的节能潜力。在混合电压系统中，利用低ICCT门电路，与逻辑门电路相关的功耗可降至微不足道。

表2列出了低ICCT门电路供货情况。根据需要可以提供额外的功能。当现有应用因前面讨论的输入条件而出现功耗过大时，用户可利用标准引脚输出，直接简便地进行替换。

总结

延长电池寿命的要诀是降低各级的功率。随着便携设备整合更多的功能，功耗问题越来越令人担忧。飞兆半导体的NC7SVL低ICCT tinyLogic产品为解决这些难题提供了一个具成本效益的解决方案。此外，飞兆半导体先进的小尺寸MicroPak封装技术，以及新推出的更小的1.0x1.0mm MicroPak 2封装技术，可显著降低线路板空间要求。

对于功率预算十分紧张的便携应用产品来说，耗电量的增加是不能接受的。NC7SVL低ICCT门电路能够帮助系统设计人员在将功率保持在预算之内，并延长电池寿命。