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编辑-Z 90N10在TO-220封装里采用的GPP芯片材质,是一款大电流MOS管。90N10的脉冲漏极电流(IDM)为360A,栅极漏电流(IDSS)为1uA,90N10的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。90N10的电性参数是:持续漏极电流(ID)为90A,漏极电压为100V,二极管正向电压(VSD)为1.2V,反向恢复时间(trr)为65NS,其中有3条引线。 90N10参数描述 型号:90N10 封装:TO-220 特性:大电流MOS管 电性参数:90A 100V 芯片材质:GPP 持续漏极电流(ID):90A 脉冲漏极电流(IDM):360A 二极管正向电压(VSD):1.2V 栅极漏电流(IDSS):1uA 反向恢复时间(trr):65NS 工作温度:-55~+150℃ 引线数量:3 90N10大电流场效应管封装系列。90N10具有低栅极电荷、低Ciss、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt功能等特性。 以上就是关于90N10-ASEMI的MOS管90N10的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产,致力于半导体行业,专注电源领域。 ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。 |
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