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编辑-Z 9N90在TO-220封装里采用的GPP芯片材质,是一款大电流MOS管。9N90的脉冲二极管正向电流(ISM)为36A,栅极漏电流(IDSS)为10uA,9N90的工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。9N90的电性参数是:连续二极管正向电流(IS)为9A,漏源电压为900V,二极管正向电压(VSD)为1.4V,其中有3条引线。 9N90参数描述 型号:9N90 封装:TO-220 特性:大电流MOS管 电性参数:9A 900V 芯片材质:GPP 连续二极管正向电流(IS):9A 脉冲二极管正向电流(ISM):36A 二极管正向电压(VSD):1.4V 栅极漏电流(IDSS):10uA 反向恢复时间(trr):550NS 工作温度:-55~+150℃ 引线数量:3 9N90大电流场效应管封装系列。9N90具有超低栅极电荷(典型值45nC),低反向传输电容(CRSS=典型值14pF),快速切换能力,改进的dv/dt能力,高耐用性等特性。 以上就是关于9N90-ASEMI的MOS管9N90的详细介绍。强元芯电子是一家集科研开发、制造、销售为一体的国家高新技术企业。12年专注于整流桥、电源IC、及肖特基、快恢复二极管、汽车电子的研发与生产,致力于半导体行业,专注电源领域。 ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。
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