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如何使用STM32F103单片机驱动直流电机的程序与电路的设计？

2045 STM32F103

问答对人有帮助，内容完整，我也想知道答案 0 如何使用STM32F103单片机驱动直流电机的程序与电路的设计？ 1
2021-10-20 06:55:55　　评论淘帖0 邀请回答您可以邀请以下用户，快速回答问题 × bertvwang 该类别下有 10 个回答。邀请回答纯纯纯牛奶该类别下有 10 个回答。邀请回答幽默该类别下有 9 个回答。邀请回答王伟01 该类别下有 9 个回答。邀请回答 hzp_bbs1 该类别下有 8 个回答。邀请回答笔画张该类别下有 8 个回答。邀请回答偶是糕富帅该类别下有 8 个回答。邀请回答 Ehunt 该类别下有 8 个回答。邀请回答 tutu304725938 该类别下有 8 个回答。邀请回答 dahairenlyy 该类别下有 8 个回答。邀请回答凌晨3点睡该类别下有 8 个回答。邀请回答 fhbding 该类别下有 8 个回答。邀请回答 wenminglang 该类别下有 7 个回答。邀请回答苹果派派该类别下有 7 个回答。邀请回答技术牛人小渣子该类别下有 7 个回答。邀请回答 sfafa 该类别下有 7 个回答。邀请回答欲望都市该类别下有 7 个回答。邀请回答 hgimtk 该类别下有 7 个回答。邀请回答新星之火12138 该类别下有 7 个回答。邀请回答早知该类别下有 7 个回答。邀请回答举报打马过草原相关推荐 • 如何使用STM32F103单片机来驱动直流电机的程序设计与电路设计 2016 • 如何利用STM32单片机去实现DMA+ADC+UART功能呢 2236 • 怎样去设计一种基于STM32单片机的直流电机驱动电路 1718 • 控制直流电机的正转反转和PWM调速直流电机驱动，单片机... 3256 • 51单片机驱动直流电机 3186 • STM32F103如何使用L9110s驱动直流电机？ 1089 • 如何设计出一款基于STM32F103单片机的直流电压电流检测仪？ 1520 • 跪求单片机驱动直流电机的程序 3215 • 求助关于L293D模块/4直流电机驱动模块的问题 3034 • 怎样去设计基于51单片机的霍尔直流电机PWM调速系统 5067 1个回答

答案对人有帮助，有参考价值 0 本文介绍如何使用STM32F103单片机，通过官方固件库，设置高级定时器TIM1输出嵌入死区的互补PWM，来驱动直流电机的程序设计与电路设计。硬件电路采用IR2110S芯片作为mos管的驱动，驱动IRF840组成的H桥。IR2110S芯片使用中，有一个比较难理解的点——自举电容，本文对其原理也有涉及。原理图文件上图是系统的简化原理图，左侧是单片机。中间是IR2110S芯片，为了方便讲解，把芯片内部结构列出一些。右侧是MOS管组成的H桥。其中M是直流电机，有正反转。其中VCC是15V，MOTOR_VCC是24V，电压可以改变，最大不超过500V。单片机一般是3.3V或5V，无法直接驱动电机。可以借助H桥来实现对直流电机的控制。 H桥由于形似H得名。 VT1，VT4导通，电机正转 VT2，VT3导通，电机翻转 VT1，VT3导通，短路，板子烧坏 VT2，VT4，导通短路。所以，驱动电机的问题就变成了MOS管导通的问题。实际电路中我选用了IRF840，这是N沟道的MOS管。N-MOS导通的条件：VGS大于一定值对于IRF840,VGS>10V 所以MOS管导通的问题就变成了VGS>10V的问题如果，VT1与VT3都独立配置一个电源，独立配置一套驱动，导通问题就变得简单了。但是，电路设计会变得复杂。我们使用1个驱动芯片IR2110S，一路驱动电源。简单介绍下IR2110S芯片 IR2110是独立一桥臂双通道，栅极驱动，高压，高速单片机专用功率器件集成驱动电路。2片IR2110就能构成H桥驱动电路。 IR2110S是3.3V版本感兴趣的可以自己来做个阅读理解。简单来说，IR2110是个3.3V控制10-20V的一个驱动。开关速度也很快，120ns 内部结构右上角的两个MOS管，中间是非门连接，不会同时导通。中间一系列怎么变化，我也不是很清楚。 HIN是1，VM1导通，VM2截止。VB与HO连在一起 HIN是0，VM1截止，VM2导通。VS与HO连在一起 LIN是1，VM3导通，VM4截止。VCC与LO连在一起 LIN是0，VM3截止，VM4导通。LO与COM连在一起先看下桥臂。左侧下桥臂导通，很简单： LIN为高，VM3导通，VCC接在LO上（暂时忽略二极管压降），VGS= VCC，导通上桥臂导通的情况，先假设没有电容。 VM1导通时，VCC接在HO上，为G极提供了接近15V的电压。但是，VS的电压是多少？不知道。如果，VT3导通，VS就是0，VT1也导通了，烧坏。如果VT4导通，VS通过电机接地（电机内部可以先等效为电阻）。但是VT1导通以后，VS接近24V，HO只有15V，VT1又截止了。电机还是不能工作。我们面临的问题是，上桥臂没有地。怎么办？这个时候，就需要自举电容。 VT4导通，VS接地。电容一端是地，一端是15V，所以VCC通过D给C充电。又因为VM1导通，所以C横跨在GS上。所以，C可以作为电压源，为GS供电。这是一个悬浮的电压源。 VT1导通后，VS接近24V，不再是地。所以VCC15无法为G提供足够的电压。自举电容可以放电维持VT1工作，电容存有15V的电，可以保持MOS管的导通。由于电容两极的压差不能突变，而电容下边变成了对地24V（暂不考虑MOS管压降），所以这一瞬间，电容上边的电压是对地39V。这时，VCC无法为电容充电。由于二极管的存在，电容的电不会倒灌给VCC。电容电量又是有限的，放电会导致电容的电压降低。等到两级压差不到10V的时候，VT1又不工作了。并且，此时IR2110芯片内部的欠压检测逻辑就会工作，把HO拉到VS，让VGS=0。所以，自举电容电压小于10V之前，要充电。如果HIN一直是高电平，电容就没有充电的机会，等到自举电容的的电压跌落到某个阈值以下，HO就变为低电平。此时可以关掉VT1，也就是断开VM1，VB与HO断开，不论是VCC还是电容都不再为G极提供电源。如果此时打开VT3，让VS接地，则电容一边是高电平，一边是低电平，开始充电。然后再断开VT3，打开VM1，VT4保持不变，让电容放电维持VT1导通，就可以循环往复，保持电机运行。即，VT1的导通要依靠电容放电来维持。HIN不能为持续的高电平，占空比也不能达到100，或低频的PWM（频率低，一个周期内放电时间长）。必须是高频的PWM，保证自举电容有周期性的，足够的充电时间，才能维持较高的悬浮电源电压。除此之外，还要注意死区问题，由于绝对不可以把同侧桥臂的上下半桥同时打开，而IR2110S，MOS管与电机切换状态都存在延时，导致从程序命令某半桥关断，到实际关断，有一段时间的延迟。例如，在延迟期间，上半桥正在关闭，下半桥暂时还不能打开，直到上半桥完全关闭，下半桥才能打开。中间等待的这段时间，就是死区。死区时间与硬件密切相关。笔者手上就有两个不同型号的电机，一个在3us的死区时可以工作，另一个则不可以。所以，写程序要注意到上下桥不能同时导通，高频，不能是100的占空比，以及死区这几个问题。接下来尝试用STM32的高级定时器，输出嵌入死区的互补PWM。以下是定时器1的初始化代码，使用两个通道输出PWM，一个周期是100us，频率是10KHz，3us的死区时间。默认通道一的占空比是50%，通道2的占空比是0%，让电机以47%（占空比减去死区）的速度正转。通道2输出占空比是0，可以让右侧上半桥总是截止，下半桥总是导通。下半桥没有自举电容。如此一来，只需要左侧上半桥导通，就可以让电机正转。控制左侧桥臂的占空比，就能控制电机的占空比。定时器1的通道1引脚是PA8PB13，通道2的输出引脚是PA9PB14。 void PWM_Configuration(void) { GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure; TIM_TimeBaseInitTypeDef TIM_BaseInitStructure; TIM_OCInitTypeDef TIM_OCInitStructure; TIM_BDTRInitTypeDef TIM_BDTRInitStructure; NVIC_InitTypeDef NVIC_InitStructure; //开启TIM和相应端口时钟 //启动GPIO RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOA \| RCC_APB2Periph_GPIOB, ENABLE); //启动AFIO RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_AFIO, ENABLE); //启动TIM1 RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_TIM1, ENABLE); //GPIO做相应设置，为AF输出 //PA8，PB13一组互补输出 A9，PB14一组互补输出 //PA.8/9口设置为TIM1的OC1输出口 GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_8 \| GPIO_Pin_9; GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP; //复用推挽输出 GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz; GPIO_Init(GPIOA, &GPIO_InitStructure); //PB.13/14口设置为TIM1_CH1N和TIM1_CH2N输出口 GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_13 \| GPIO_Pin_14; GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP; GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz; GPIO_Init(GPIOB, &GPIO_InitStructure); GPIO_SetBits(GPIOA, GPIO_Pin_8 \| GPIO_Pin_9); GPIO_SetBits(GPIOB, GPIO_Pin_13 \| GPIO_Pin_14); NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_1); NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannel = TIM1_UP_IRQn; NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelPreemptionPriority = 0; NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelSubPriority = 0; NVIC_InitStructure.NVIC_IRQChannelCmd = ENABLE; NVIC_Init(&NVIC_InitStructure); //TIM1基本计数器设置（设置PWM频率）10KHz TIM_BaseInitStructure.TIM_Period = 100-1; //10khz 好计算。按照1%的精确度，理论最大72000/100 = 720KHz TIM_BaseInitStructure.TIM_Prescaler = 72-1; TIM_BaseInitStructure.TIM_ClockDivision = 0; TIM_BaseInitStructure.TIM_CounterMode = TIM_CounterMode_Up;//向上计数 TIM_BaseInitStructure.TIM_RepetitionCounter = 0; TIM_TimeBaseInit(TIM1, &TIM_BaseInitStructure); //启用ARR的影子寄存器（直到产生更新事件才更改设置） TIM_ARRPreloadConfig(TIM1, ENABLE); //TIM1_OC1模块设置（设置1通道占空比） TIM_OCInitStructure.TIM_OCMode = TIM_OCMode_PWM1;//TIM脉冲宽度调制模式1 TIM_OCInitStructure.TIM_OutputState = TIM_OutputState_Enable;//输出通道使能 TIM_OCInitStructure.TIM_OutputNState = TIM_OutputNState_Enable;//互补输出 TIM_OCInitStructure.TIM_OCPolarity = TIM_OCPolarity_High; TIM_OCInitStructure.TIM_OCNPolarity = TIM_OCNPolarity_High;//TIM输出比较极性高 //TIM_OCInitStructure.TIM_OCIdleState = TIM_OCIdleState_Set; TIM_OCInitStructure.TIM_OCIdleState = TIM_OCIdleState_Reset; TIM_OCInitStructure.TIM_OCNIdleState = TIM_OCNIdleState_Reset; TIM_OCInitStructure.TIM_Pulse = 50;//待装入捕获比较寄存器的脉冲值 TIM_OC1Init(TIM1, &TIM_OCInitStructure); //启用CCR1寄存器的影子寄存器（直到产生更新事件才更改设置） TIM_OC1PreloadConfig(TIM1, TIM_OCPreload_Enable); //TIM1_OC2模块设置（设置2通道占空比） TIM_OCInitStructure.TIM_OutputState = TIM_OutputState_Enable; TIM_OCInitStructure.TIM_OutputNState = TIM_OutputNState_Enable; TIM_OCInitStructure.TIM_Pulse = 0; TIM_OC2Init(TIM1, &TIM_OCInitStructure); //启用CCR2寄存器的影子寄存器（直到产生更新事件才更改设置） TIM_OC2PreloadConfig(TIM1, TIM_OCPreload_Enable); //OCx输出信号与参考信号相同，只是它的上升沿相对参考信号的上升沿有一个延迟 //OCxN输出信号与参考信号相同，只是它的上升沿相对参考信号的下降沿有一个延迟 //死区设置 TIM_BDTRInitStructure.TIM_OSSRState = TIM_OSSRState_Enable; TIM_BDTRInitStructure.TIM_OSSIState = TIM_OSSIState_Enable; TIM_BDTRInitStructure.TIM_LOCKLevel = TIM_LOCKLevel_2; //bit7~5 = 111,则deadtime = (32 + (bit4~bit0)* 161/fosc)ns = (32+31)16*1/72000000 = 14us TIM_BDTRInitStructure.TIM_DeadTime = 0xab; //这里调整死区大小0-0xff3us TIM_BDTRInitStructure.TIM_Break = TIM_Break_Disable; TIM_BDTRInitStructure.TIM_BreakPolarity = TIM_BreakPolarity_High; TIM_BDTRInitStructure.TIM_AutomaticOutput = TIM_AutomaticOutput_Enable; TIM_BDTRConfig(TIM1, &TIM_BDTRInitStructure); //TIM1_OC通道输出PWM TIM_CtrlPWMOutputs(TIM1, ENABLE); //TIM1开启 TIM_Cmd(TIM1, ENABLE); } 从上图中，可以清楚地看到，单片机输出的上、下桥臂控制信号，不存在同时为高电平的时候，也就是同侧上下桥臂不会同时导通。切换状态时，某半桥臂的控制信号拉低3us以后，另半桥臂的控制信号才能拉高，这就是所谓的带死区的互补PWM。上图是输出的电机控制电压。可以看出周期是100us，高电平持续时间大约一半。初始化之后，在程序运行时，可以调用 TIM_SetAutoreload(TIM1,xx); 1 来设置自动重装值。在初始化的时候把此值设置为了100，如果改为80，效果如下：可以看出，一个周期变成了80us。也可以使用函数 TIM_SetCompare1(TIM1,xx); TIM_SetCompare2(TIM1,xx); 1 2 来分别为通道1与通道2设置比较值。例如，把比较值设置为80，而自动重装值还是100，那么占空比就是80%了。下边是用按键控制电机的一个小demo。实现了按键1启停，按键2切换正反转，按键34增减转速的功能。 int main(void) { static u8 motorValue = 50,oldvalue = 50; static u8 startStop = 1,dir = 1;//startStop = 1启动 =0停止 dir =1 正转 volatile u8 key = 0; NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_2); //设置NVIC中断分组2:2位抢占优先级，2位响应优先级 LED_Init(); KEY_Init(); delay_init(); PWM_Configuration(); Motor_IO_Init(); LED1 = LED_ON; while(1) { key = KEY_Scan(0); if(key) { switch(key) { case KEY1_PRES: startStop = !startStop; break; case KEY2_PRES: dir = !dir; break; case KEY3_PRES: motorValue += 5; break; case KEY4_PRES: motorValue -= 5; break; default: break; } if(motorValue>249)//<0 motorValue = 0; else if(motorValue >94) motorValue = 94; if (startStop) { if(dir) { TIM_SetCompare2(TIM1,0); delay_ms(500); TIM_SetCompare1(TIM1,motorValue); } else { TIM_SetCompare1(TIM1,0); delay_ms(500); TIM_SetCompare2(TIM1,motorValue); } } else { TIM_SetCompare1(TIM1,0); TIM_SetCompare2(TIM1,0); } } } } //S1 启动&停止 S2翻转 S3+5 S4-5

2021-10-20 09:14:14 评论举报杨嘉怡