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Features Enhancement mode VitoMOS® Ⅱ Technology Fast Switching and High Efficiency 100% Avalanche test V DS 60 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 8 mΩ R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 14 mΩ I D 15 A Symbol Parameter Rating Unit V(BR)DSS Drain-Source breakdown voltage 60 V VGS Gate-Source voltage ±20 V IS Diode continuous forward current TA =25°C 2.6 A ID Continuous drain current @VGS=10V TA =25°C 15 A TA =70°C 12 A IDM Pulse drain current tested ① TA =25°C 60 A EAS Avalanche energy, single pulsed ② 6.3 mJ PD Maximum power dissipation TA =25°C 3.1 W TSTG,TJ Storage and Junction Temperature Range -55 to 150 °C 代理及分销品牌有：亚成微，绿达 长运通，***聚积 ***茂达 明微 等 MOS 新洁能 威兆 瑞森 美浦森 欢迎来电咨询 。 
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