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FPGA之SDRAM控制器设计（二）精选资料分享

2021-7-30 07:48:42 660 SDRAM FPGA

0 FPGA之SDRAM控制器设计（二）：刷新这次要来解决上次留下来的刷新问题，在100us后首先要经过两次刷新才进行模式寄存器设置。这颗SDRAM芯片需要每隔64ms对8192行（列地址10-位，行地址13位）的每一个存储电容进行一次刷新，因为不刷新电充会泄露电流导致存储信息丢失。那每一行的刷新时间为64/8192 ≈ 7810ns，注意刷新是以行为单位，器芯片内部有一个计数器，这个计数器不是时钟直接驱动的，而是AUTO PRECHARGE驱动，每发一次atuoprecharge命令这个计数器加1，我们是... 0 FPGA之SDRAM控制器设计（二）.pdf 135 Bytes , 下载次数: 3
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