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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章： 微镜角度依赖性与蚀刻剂选择 编号：JFKJ-21-047 作者：炬丰科技 网址：http://www.wetsemi.com/index.html 抽象的： 在为微光学创建镜面硅结构时，表面的平滑度和蚀刻速率是关键参数。我们展示了一种从单晶硅创建 45° 和 90° 蚀刻平面的方法，用作微流体装置中的逆反射侧壁。该技术使用相同的光刻图案方向，但使用两种不同的蚀刻剂。用氢氧化钾在 Si中的蚀刻得到垂直表面（例如，高表面张力影响结晶硅平面的蚀刻），而氢氧化四甲基铵得到 45° 的侧壁。我们通过创建微镜阵列来说明这些制造结构的使用，这些微镜阵列使光束能够从 45° 和 - 45° 倾斜的垂直结构来回平行反射。 I. 一世简介 人们对创建可以将光学与流体运动集成的平台越来越感兴趣，特别是在用于分析测量的光流体领域。在此类设备中，需要在靠近微流体通道或腔体或与微流体通道或腔体对齐的精确位置制造光学组件。硅微加工和 MEMS 加工技术都非常适合此类应用，从而能够创建可以塑造或引导光束的复杂微结构。 先前已经开发出硅体微加工技术并且通常使用多种不同的蚀刻来进行，其中最常见的是用于制造多种微结构（包括例如微腔、悬臂梁）的晶体晶片的湿式各向异性蚀刻、隔膜等）。此外，这些相同的蚀刻也是制造各种集成器件的组成部分，例如加速度计、分束器、晶体管和梳状结构。使用 MEMS 微加工技术生产微镜阵列的能力最近刺激了光学设备的发展，这些微镜阵列提供了 90° 的光反射。该技术既低成本又可扩展，因此适用于大规模批处理。 略 II. 米材料和米方法论 分别使用厚度为 380、500 和 659 μm 的 3''、4'' 和 6'' 硅晶片进行了 KOH 和 TMAH 溶液的蚀刻实验分别是纳米制造中心。3''晶片被双面抛光并在热氧化层上分别在60/40nm的两侧具有氮化层以获得掩模窗口。4 英寸和 6 英寸晶片具有 100 纳米 LPCVD 氮化物层掩蔽材料。晶片在一侧用光刻法进行图案化，然后在工艺流程中通过干法蚀刻氮化物和/或热氧化物层以给出所需的图案略 III. 电阻结果与讨论 略 IV. 一种深垂直微镜的应用 略 V. C结论 略 文章全部详情，请加V了解：壹叁叁伍捌零陆肆叁叁叁 如有侵权，请联系作者删除 
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