文章:GaN晶体蚀刻的几何方面和光子应用 编号:JFSJ-21-044 作者:炬丰科技 网址:http://www.wetsemi.com/index.html
摘要: 湿法各向异性(晶体)化学蚀刻是半导体器件的基础工艺技术,其中小平面和小平面定义的几何形状决定了器件的特性。 例子是: (1)具有原子级光滑面的光学设备(波导、激光器)减少损失 (2)MEMS,其中几何形状可以通过晶体学和湿蚀刻的性质 • 湿的在基于KOH的化学中,GaN 的化学蚀刻具有高度的各向异性,能够形成垂直和光滑的多面纳米结构。文章全部详情,请加V获取:hlknch / xzl1019 • 我们 可以使用 Wulff-Jaccodine方法预测这些结构的凸凹形状。 • 使用湿化学蚀刻方法了解和预测 GaN 结构的3D几何形状可以实现将结构(例如纳米线、MEMS)和功能(光电子学)相结合的新应用。
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