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你这个问题边界条件给的太宽了, 不太好谈. 一般gm/id数值代表管子所在的反型区, 数字越大管子速度越慢, 本征增益越大. 然后同样的gm/id L越大fT越小, 但是本征增益越大. 拿到工艺库以后可以跑一个下面这样的图看看工艺的性能.
然后就可以根据增益和带宽要求选管子的L和gm/id了. 书和教程我看了不少, 真正有帮助的就是boris murmann的 systematic design of analog cmos circuits. 这个书基本是保姆式的. 希望能帮到你 |
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