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对于vdsat我的个人的理解是：该器件在当前的VGS偏置下，达到饱和电流（电流的最大值）时所需的最小VDS。
比较困惑的是，低电压设计的时候管子经常会在亚阈值区，管子处于亚阈值区的时候，spectre也会给出一个vdsat的值，这时的vdsat该如何理解呢？ 这种情况下，也需要使VDS大于vdsat来实现“稳定”的电流吗（即使不在饱和区）？ 个人理解，如有错误还请前辈们批评指正，感激不尽！ 
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新人回答 亚阈值区好像在vds大于一个数值的时候 电流也会有类似饱和区的特性的
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Although these expressions can 在BSIM model中用统一的公式计算饱和区和亚阈值区。 参考MOSFET MODELING & BSIM3 USER’S GUIDE |
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饱和区（Vgs》Vth）和亚阈值区（Vgs《Vth）的主要区别是Vgs与Vth的相对大小，分别对应与强反型和中等~弱反型。但它们都存在漏极电流饱和，因此都有对应的Vdsat。基于gm/Id或IC的设计方法，已经不再特别区分这两个区域，而是在all-region上都可以做设计，并且通常在中等反型区具有较好的功耗速度的折衷。
Veff=Vgs-VthD. |
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饱和区（Vgs》Vth）和亚阈值区（Vgs
我在设计放大器输入管时发现一个现象。在典型条件（tt，25°）下，我把输入管设计在亚阈值区，静态工作点显示vdsat=82mV，region=3。但是在仿真工艺角的时候发现在某些工艺角下，输入管又跑到饱和区了，显示vdsat=110mV，region=2。 向您请教一下，如何避免这种现象？我一直希望放大器输入管在任何工艺角下就处于region=3的状态，不过对我来说这好像很难实现。 |
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