3D NAND与4D NAND之间的差别在哪儿？

　　在5G手机的带动之下，产业逐渐复苏，128层堆栈的4D NAND Flash也即将量产。随着SSD的普及，NAND这个词逐渐进入用户们的视线，许多商家会在产品宣传中提到4D NAND、3D NAND等词汇，但对于新手小白来说，也许还不知道这些究竟代表着什么意思。今天，宏旺半导体就来跟大家科普什么是3D NAND、4D NAND，有什么区别。
　　要了解这些含义，首先要知道什么是NAND。宏旺半导体之前提到过，存储可以分为就是易失性存储和非易失性存储，非易失性存储在断电的情况下数据不会丢失，会保持长期的存储，因而NAND属于非易失性闪存存储器，通常用来制造SSD存储数据。
　　随着人们需求的不断增加，受到有限宽度和长度尺寸内容纳存储器单元的限制。2D NAND容量已达到其开发的极限，利用2D NAND很难在SSD容量方面上继续增加。于是，3D NAND应运而生。3D NAND可带来更好的性能，更低的成本以及更高的密度。
　　据了解，3D NAND指的是闪存芯片的存储单元是 3D 的。此前的闪存多属于平面闪存 （Planar NAND），而3D NAND，顾名思义，即是指立体结构的闪存。如果平面闪存是平房，那 3D NAND 就是高楼大厦。把存储单元立体化，意味着每个存储单元的单位面积可以大幅下降。
　　目前市场上已经有15TB及以上的3D NAND SSD，正在开发的SSD存储容量甚至能够高达6PB。但这这么大容量的SSD很昂贵，因为它们不仅需要纯粹的容量，还需要智能控制器和快速的性能，但3D NAND SSD还是有很多大容量业务场景用户需求的。也正因为3D NAND的技术，使得部分采用相应技术的TLC产品达到了MLC的性能，就是我们常说的3D TLC。
　　但3D NAND也有着自己的劣势，随着先进的工艺带来的更大的容量，3D NAND的可靠性和稳定性以及性能方面都在下降，因为工艺越先进，NAND的氧化层越薄，其可靠性也就越差，厂商就需要采取额外手段弥补这一问题，这必然会提高成本。
　　那即将出货的4D NAND 跟3D NAND有什么区别吗？其实，据宏旺半导体了解，本质上还是3D NAND Flash，只不过单芯片采用4层架构设计，结合了3D CTF （电荷捕获闪存） 设计、PUC （Peri. Under Cell） 技术，PUC是指制造NAND Flash时先形成周边区域再堆栈晶体，有助于缩小芯片面积。所以，取名4D NAND Flash似乎只是为了比较好营销。
　　今天的科普文就分析到这里，欢迎关注国产品牌宏旺半导体ICMAX，宏旺半导体在存储行业有十五年的经验，产品型号包含了eMMC、eMCP、UFS、UMCP、SPI、DDR、LPDDR、SSD、内存、TF卡等，应用于手持移动终端、消费类电子产品、电脑及周边、办公、汽车电子及工业控制等设备的各个领域。大家有关存储不懂的问题都可以来问，ICMAX会第一时间回复的。