怎么用LM3478设计50W DC-DC升降压变换器了？

　　现代电子技术发展很快，半导体供应商不断推出新器件，从而推动电子应用工程师的不断创新设计，以满足市场的日益需求。本文介绍的即是基于客户的需求，应用美国国家半导体公司的新型电流型PWM芯片LM3478及基于SEPIC升降压原理实现的50W DC-DC 适配器。该适配器的主要特点是：直流输入电压范围极宽；输出功率大；保护功能全；输出纹波小；效率高；工作稳定可靠；应用范围广。
　　SEPIC型变换器
　　SEPIC的电气原理简图如图1所示。
　　
　　通常称之为升降压变换器SEPIC的简单原理如下：当SW开通时，加在L1，L2上的电压均为Vin，此时Cp并在L2上，且有Cp上的电压与L2上的相等。当SW关断时，L1中的电流继续沿着Cp、D1流向Cout输出到负载，同时L2的电流也流向D1、Cout输出到负载。在此期间，通过L1、L2的电压均等于输出电压Vout。由SEPIC的原理可推出基本关系式：Vout/Vin＝D/（1-D）。式中D为占空比，且忽略SW及L1等的压降。
　　LM3478
　　LM3478芯片的主要特点：
　　宽输入电压：2.79—40VDC
　　高工作频率：100KHz—1MHz
　　微型封装：MSOP-8
　　驱动电流：1A
　　内部限制：OCP，OVP，LVP，OTP
　　工作温度：-40℃—+125℃
　　50W DC-DC变换器设计
　　该变换器的主要技术要求：
　　直流输入电压范围：9-60VDC
　　输入电流：＜6A（9VDC）
　　直流输出电压：12VDC%
　　直流输出电流：3.5A
　　输出纹波电压：＜100mV RMS
　　额定功率：42W
　　峰值功率：50W
　　电源效率：典型值85%；满负载
　　保护型式：电流限制功率保护
　　输出过流保护：＜4.2A
　　输出过压保护：由LM3478控制
　　工作温度范围： -20℃—＋70℃
　　安规及EMC符合国际标准
　　高可靠性MTBF＞100，000小时
　　外型及尺寸：塑壳式；1024625（mm）
　　50W DC-DC 变换器的电气原理图如图2所示。
　　
　　该电路是基于SEPIC拓扑、应用LM3478芯片按照客户的技术要求设计的。在该电路中，考虑到适配器的体积及储能电感磁性材料的体积，选定工作频率Fs＝250KHz。
　　计算储能电感L3、L4的电感量及磁芯选择
　　首先由公式：D＝Vout/（Vout+Vin）计算占空比。由于最严酷条件下的电感纹波电流是在最大输入电压下，所以D＝12/（12+60）≈0.167。
　　计算储能电感l3、L4：正常情况下，L4的大小在确保最小负载电流下使电感电流连续，且输出纹波满足指标要求。为此，我们假定在20%最小负载电流下，允许有40%的峰-峰值纹波电流流过L4。
　　C1、C2为输入滤波，Q1、DZ1、DZ2、D1-1构成启动电源，L3、L4为储能电感，Q2为功率MOSFET，IC为PWM驱动芯片，R5为频率调整电阻，C3、C4、R2为反馈补偿，R3、R4为反馈分压电阻，R7为过电流取样电阻，C8、C9为SEPIC电容，R8、R9、C6、C7为吸收网络，D2为输出整流二极管，C10、C11、C12为输出滤波电容。当然要想符合EMC要求，输入端还应该有共模电感，差模电感，及X、Y等安规电容。
　　L＝Vdt/di；
　　其中dt＝1/FsD＝1/（250103）0.167≈0.668，V为Vin在MOSFET开通时的值。因此，有如下计算：
　　L4＝60（0.66810-6/0.4）＝100.2μH。取100μH的标称值。由该SEPIC原理及设计经验可知，作为俩个分离的储能电感，L3的取值也为：100μH。
　　由于该电感为储能电感，因此，对磁性材料的选取要特别注意。此处选择的材料为：Magnetic公司的Kool Mu，相同性能的材料，其他公司又称铁硅铝。参数如下：
　　料号：77381-A7，黑色
　　尺寸：17.279.656.35（mm），为环型磁芯
　　电感因数AL：43（nH/N2），N为圈数
　　由公式：L＝ALN2，可以计算出电感圈数为：
　　48圈，且用AWG18号线绕制。L3、L4相同参数。
　　Magnetic公司的Kool Mu材料，损耗少，相对成本低，也可以选同规格其他厂商铁硅铝材料。如果想进一步降低成本也可以选用国产的铁硅铝材料。
　　上述L3、L4为两个分离电感设计，也可以共用一个储能磁环，只是此时由于耦合电感的存在，计算的电感值为上述值的一半，为50μH。但成本低些。
　　PCB注意事项
　　由于为高频DC-DC变换，因此，PCB布线很重要。区分功率地与信号地的汇流点，驱动IC与MOSFET的关系，输入滤波与输出滤波的位置等。同时注意分离元件及贴片元件的位置关系。还要考虑散热器的形状及散热面积。
　　关键元器件的选择及说明
　　功率MOSFET的选择：N-FET，极低导通电阻，低门极驱动电压：5V—7V，符合PWM-IC要求，TO-220AB封装，100V/85A，结温175℃。型号为VISHAY：SUP85N10-10。
　　肖特基整流二极管的选择：型号为MBR20100CT，封装为TO-220AB，100V/20A，正向压降低。
　　输入、输出滤波电解电容可由计算公式或经验选取。C8、C9可由计算公式或实验选择。取样电阻的参数可由计算及实验来确定。
　　样机调试中发现的问题及解决方法
　　按照上述原理及计算参数进行PCB的焊接及调试。发现问题如下：
　　由LM3478芯片的特点及典型的EPIC应用来看，比较适合功率等级20W以下的DC-DC变换器。而此处设计成50WDC-DC变换器，发现PWM驱动MOSFET有些困难，波形畸变及MOSFET功耗大，解决的方法为：在IC的6脚与MOSFET的栅极之间加入一级驱动放大，即由NPN和PNP对管组成的放大级。
　　L3、L4均取100μH的电感量在工作时发现：在输出轻载或空载时，输出纹波过大。经试验发现由电感L3引起的，根据经验及分析将L3的电感量降为50mH即可解决问题。
　　IC的2引脚COMP对地的补偿参数C3、C4、R2：若按典型参数试验，发现样机有噪声且不稳定，经试验将C2去掉，结果没有噪声且工作稳定。
　　取样电阻R7：由于IC的特点使取样电阻的阀值很低，而且该DC-DC的功率相对较大，致使取样电阻R7的选取比较困难，为了降低成本选用微阻抗电阻。
　　结语
　　通过对该DC-DC变换器的拓扑结构及驱动IC的选择，设计出了满足技术要求的50W适配器，虽然调试过程中遇到了一些问题，经过试验分析得到了解决。从实际应用来看，用此原理设计出50W的电源已经很有优势了。下一步还要考虑EMC及安规问题来满足国际市场的要求。实验表明，该适配器可用于宽输入电压范围的DC-DC变换器及对蓄电池充电的场合。