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碳化硅混合分立器件 IGBT

2021-3-29 11:00:47 2012 IGBT IGBT驱动

0 650 V CoolSiC™混合分立器件，该器件包含一个50A TRENCHSTOP™ 快速开关 IGBT 和一个 CoolSiC 肖特基二极管，能够提升性价比并带来高可靠性。这种组合为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质与性价比的完美方案，除支持双向充电之外，还有助于实现很高的系统集成度。这使得该器件非常适合诸多快速开关汽车应用，如车载充电器（OBC）、功率因数校正（PFC）、DC-DC 和 DC-AC 变流器等。集成式快速开关 50A IGBT 的关断性能优于纯硅解决方案，可与 MOSFET 媲美。较之常规的碳化硅 MOSFET，这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间，能以更低成本实现 95％至 97％的系统效率。此外，CoolSiC 肖特基二极管有助于降低导通和恢复损耗。相比纯硅设计而言，该器件是实现硬换向的理想器件，损耗可降低 30%。由于具有较低的冷却要求，该二极管还能降低系统成本，带来极佳的性价比优势。详情见附件。。。。。。 3 碳化硅混合分立器件 IGBT.pdf 539.65 KB , 下载次数: 7
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