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型号:HC021N10L
参数:100V 35A 类型:N沟道场效应管 内阻20mR 低结电容1880pF 封装:贴片(TO-252) 低开启电压1.8V 低结电容,低内阻,低开启电压,温升低,转换效率高,过电流大,抗冲击能力强 应用领域:车灯照明、电弧打火机 【惠海MOS管常规封装】SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等 惠海半导体专业从事30-150V中低压MOS管的设计、研发、生产与销售,性价比高,量产稳定成熟,提供方案及技术支持。惠海半导体MOS管采用SGT工艺,性能优越,品质好,具有高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、低温升、高转换效率、过电流大、抗冲击能力强、开关损耗小等的优点。 |
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