图2MAF和AVRF系列滤波器的协同工作可降低插入损耗。资料来源:TDK
下面总结了实现这些功能的基本应用方法。
100mW至2W级音频
在扬声器输出相对较小(100mW至2W)的智能手机和其他设备的扬声器线路中,通常使用不带LPF的D类放大器。声音失真度通常以数字形式表示为总谐波失真加噪声(THD+N);其值越低,声音质量越好。
如果在扬声器线路中使用通用的芯片磁珠,则输出会导致THD+N值升高,从而降低声音质量。但是,对于噪声抑制滤波器,THD+N特性等同于不使用滤波器的特性。即使增加输出功率,对信号也没有影响,也不会产生声音失真。使用输出信号的频谱(1kHz),使用贴片磁珠时,谐波水平明显更高;这种谐波分量被称为失真。相反,使用噪声抑制滤波器时,高频不会受到影响,因此只能听到干净的1kHz信号。
与不使用滤波器相比,噪声抑制滤波器在辐射噪声抑制方面的效果等同于关闭D类放大器时的效果。例如,TDK的MAF系列滤波器是多层芯片组件,它们使用一种新型的铁氧体材料来实现低失真,同时保持其噪声消除特性。
2W至20W级扬声器线
对于扬声器输出为2W至20W等级的设备,例如AI扬声器,平板电脑和其他音频设备,有必要在外部为LPF提供电感以容纳大电流。考虑这些电感器已插入扬声器线路,因此它们不得影响这些线路中的信号。
金属电感由金属磁性材料制成。它们可以容纳大电流;但是,THD+N值随着输出功率的增大而增大。具有使用铁氧体的绕线屏蔽磁结构的电感器可以提供诸多优势,包括低直流电阻,Rdc和适应大电流的能力。因此,当插入扬声器时,THD+N值仅略有变化。
与输出功率较低的智能手机扬声器一样,在2W至20W功率的扬声器线路中添加噪声抑制滤波器将避免辐射噪声引起的音频输出任何可能的劣化。
同样,绕线式噪声抑制滤波器的THD+N特性与不使用滤波器的等效,谐波水平也几乎相同。这些结果清楚地表明,用绕线式噪声抑制滤波器替代了磁珠扬声器线在减少失真和改善声音质量方面非常有效(图3)。
图3噪声抑制滤波器可有效减少失真并改善智能扬声器设计中的声音质量。资料来源:TDK
扬声器线路的噪声强度与频率特性的比较表明,如何降低100MHz至400MHz频带中的噪声强度。它还表明,该频带中的线绕噪声抑制滤波器的高阻抗使其适合作为D类放大器的噪声对策,可以轻松地满足CISPRB类标准并具有一定的净空(红色虚线)。