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1、VDSS(击穿电压):此电压要选择合适,一般是加入的电压值的峰值的两倍。 2、VGS(th) (开启电压):对于NMOS,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动)。对于PMOS,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。 3、RDS(on) (漏源电阻):这个值要尽可能的小,因为一旦阻值偏大,就会使得功耗变大。而功耗一旦变大,就会加速温升。 4、ID(导通电流):需要注意的是,这个电流值一般是在充分散热的条件下测出来的,是实验室条件下的参数值,一般MOS管如果散热不好,这些极限参数会大幅缩水。 |
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