芯片IC可靠性测试、静电测试、失效分析

2020-4-26 17:03:32 5000 芯片

0 芯片IC可靠性测试、静电测试、失效分析芯片可靠性验证 ( RA) 芯片级预处理(PC) & MSL试验、J-STD-020 & JESD22-A113 ；高温存储试验(HTSL), JESD22-A103 ；温度循环试验(TC), JESD22-A104 ；温湿度试验(TH / THB), JESD22-A101 ；高加速应力试验(HTST / HAST), JESD22-A110；高温老化寿命试验(HTOL), JESD22-A108；芯片静电测试 ( ESD)：人体放电模式测试(HBM), JS001 ；元器件充放电模式测试(CDM), JS002 ；闩锁测试(LU), JESD78 ；芯片IC失效分析 ( FA)：光学检查(VI/OM) ；扫描电镜检查(FIB/SEM) 微光分析定位(EMMI/InGaAs)； OBIRCH ； Micro-probe; 聚焦离子束微观分析(FIB) 弹坑试验(cratering) 芯片开封(decap) 芯片去层(delayer) 晶格缺陷试验(化学法) PN结染色 / 码染色试验推拉力测试(WBP/WBS) 红墨水试验 PCBA切片分析(X-section) 芯片材料分析高分辨TEM (形貌、膜厚测量、电子衍射、STEM、HAADF)； SEM (形貌观察、截面观察、膜厚测量、EBSD) Raman (Raman光谱) AFM (微观表面形貌分析、台阶测量) 芯片分析服务： ESD / EOS实验设计；集成电路竞品分析； AEC-Q100 / AEC-Q104开展与技术服务；未知污染物分析 (污染物分析方案制定与实施，帮助客户全面了解污染物的理化特性，包括：化学成分组成分析、成分含量分析、分子结构分析、晶体结构分析等物理与化学特性分析材料理化特性全方位分析(有机高分子材料、小分子材料、无机非金属材料的成分分析、分子结构分析等)；镀层膜层全方位分析 (镀层膜层分析方案的制定与实施，包括厚度分析、元素组成分析、膜层剖面元素分析)； GRGT团队技术能力 •集成电路失效分析、芯片良率提升、封装工艺管控 •集成电路竞品分析、工艺分析 •芯片级失效分析方案turnkey •芯片级静电防护测试方案制定与平台实验设计 •静电防护失效整改技术建议 •集成电路可靠性验证 •材料分析技术支持与方案制定半导体材料分析手法业务咨询及技术交流：李绍政 lisz@grgtest.com 6 （备份）芯片IC测试认证介绍.pdf 3.8 MB , 下载次数: 69
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