长江存储推出128层3D NAND闪存芯片：应对5G时代挑战

长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片 X2－6070研发成功，已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证，将率先应用于消费级SSD，并逐步进入企业级服务器、数据中心等领域，以满足未来5G、AI时代多元化数据存储需求。
Xtacking®2．0创新架构助力3D NAND升级
长江存储表示，X2－6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，在目前全球已公开发布的3D NAND Flash存储芯片产品中，X2－6070拥有最高单位面积存储密度，最高I／O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。长江存储本次还同时发布了128层512Gb TLC（3 bit／cell）规格闪存芯片X2－9060，以满足不同应用场景的需求。
长江存储本次发布的两款产品均采用公司自研Xtacking®2．0架构，外围电路和存储单元可堆叠，带来极佳的扩展性。在性能方面，两款产品拥有1．6Gbps的I／O读写性能，3D QLC单颗容量高达1．33Tb，是上一代产品64层的5．33倍。
去年9月，长江存储宣布在其第三代3D NAND闪存中应用Xtacking®2．0架构，相关技术概念在IC China 2019上得以公开。
据OFweek电子工程网了解，Xtacking®技术可以为3D NAND带来三大优势：
1、更快的I／O接口速度：Xtacking®技术可在一片晶圆上独立加工负责数据I／O及记忆单元操作的外围电路，有利于选择合适的先进逻辑工艺，让NAND获取更高的I／O接口速度及更多的操作功能。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking?技术只需一个处理步骤就可通过数十亿根金属VIA将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本；
2、更高的存储密度：外围电路约占传统3D NAND架构中芯片面积的20～30％，随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高，外围电路面积占比将超过50％以上。Xtacking?技术将外围电路置于存储单元之上，实现比传统3D NAND更高的存储密度；
3、提升研发效率并缩短生产周期：充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势，实现了并行的、模块化的产品设计及制造，产品开发时间可缩短三个月，生产周期可缩短20％，从而大幅缩短3D NAND产品的上市时间。
追赶国际大厂，3年实现技术跨越
据悉，长江存储于2017年成功设计制造了中国首款32层3D NAND闪存；2019年9月，搭载长江存储自主创新Xtacking®架构的64层TLC 3D NAND闪存正式量产。短短三年时间，长江存储实现了从32层到64层再到128层的技术跨越，迅速追上了日韩美厂商先进水平，值得欣慰。

长江存储市场与销售高级副总裁龚翊表示：“作为闪存行业的新人，长江存储用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。这既是数千长存人汗水的凝聚，也是全球产业链上下游通力协作的成果。随着Xtacking® 2．0时代的到来，长江存储有决心，有实力，有能力开创一个崭新的商业生态，让我们的合作伙伴可以充分发挥他们自身优势，达到互利共赢。”