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我的项目使用HARMony 2.04和PIC32MZ2064DAH176I发现32MB的memset需要很多周期。使用Count寄存器，它计算出92893940个周期。还有，我有点不清楚，这些单个周期计数是除以2个计数？这是最好的吗？我尝试了一个使用无符号长环的for循环，它给出了类似的性能。
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每个字节的3个时钟脉冲对我来说是有意义的。不确定代码是写一个比特还是一个8比特或者…
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但是每字节3个循环是每长12个循环。我试图理解它，因为引导需要几秒钟，所以我不确定它是否是现实中的两倍。memcpy也不太好。一段时间后，我尝试创建一个DMA MimcPy，但缓存刷新占用了大部分的周期节省。
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拆卸代码怎么样？你能张贴吗？
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DDR3在MZ上为400 MHz，16位宽。因此，理论上，如果单向的，没有其他东西可以访问内存，那么应该能够以200MHz（每个周期一个字）写单词。然而，为了实现任何接近它，内存控制器应该努力工作。此外，如果其他东西使用内存（更糟糕的是，它的读数），其性能将接近峰值的10-20%（这就是为什么英特尔处理器有巨大的缓存）。如果它是蹩脚或差调谐，你将不会到达高峰附近任何地方。memset()在内存控制器上比memcpy()容易得多。如果只读取COUNT寄存器，则需要乘以2来获得循环数。这大约是每个写入的25个周期-容量的4%。我得说，要么是使用DDR3（比如DMA），要么内存控制器完全失控了。
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你确定它是400兆赫吗？每当我试着在400点打DDR时，都没用。（MFMPLL）
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DOCS说它是400兆赫。它是DDR，所以它在两个时钟边沿上进行转换。因此，时钟应该是200兆赫。根据微芯片在论坛上的说法，你可以稍微超时一点，但重要的是调整控制器并根据你的使用模式优化它（如果可能的话）。
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我想你是在讨论设置DDRIZIT值吧？我知道这个芯片上的东西是根据图形定制的。不过，我不确定这是DDR对这项协议的限制。
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对。还有十几个寄存器。它们中的一些可能会被调整。我不知道这是否有帮助。参见Microchip DOC DS600 01321B。这是“第55节”。FRM的DDR SDRAM控制器。尝试使用非DDR内存的MeMSET（），看看它有多快。如果它仍然是DDR（或者只稍微快一点），那么问题可能是Flash获取或缓存设置。如果非DDR快，则这是DDR问题。还可以从DDR到非DDR和从非DDR到DDR测试MEMCYPY（）。这将给你的想法，如果DDR是在故障或其他东西。
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这是例程的主循环，展开为每次迭代写入16字节：
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