RFX2401C射频前端集成功率放大器中文资料

RFX2401C是集成电路RF单片机(射频前端集成电路)，包含所有内部IEEE 802.15.4/ZIGBEE,提供服务所需的射频功能无线传感器网络,和其他无线系统在2.4 ghz的ISM波段。RFX2401C架构集PA、LNA、收发开关电路，相关的匹配网络,在CMOS单片机和谐波滤波器装置。

应用：2.4G无线教学语音系统 　2.4G无线话筒麦克风  2.4G教学扩音机 2.4G无线壁挂音箱 2.4G无线话筒模块 激光笔系列。
RFX2401C产品性能.RFaxis第二代纯CMOS单芯片/单硅片射频前端集成电路的性能优于基于砷化镓/锗硅的射频前端解决方案
RFaxis开始为智能手机和平板电脑用双模Wi-Fi/蓝牙、WLAN 11a/n/ac、无线音频、ZIGBEE和智能能源/家庭自动化等市场批量生产七种新的CMOS射频前端集成电路

  专注于为无线连接和蜂窝移动市场提供创新型新一代射频(RF)解决方案的无晶圆半导体公司RFaxis日前宣布，该公司将于2012年第四季度开始其第二代纯CMOS射频前端集成电路(RFeIC)的批量生产。新解决方案将服务于智能手机和平板电脑、WLAN 11a/n/ac、ZigBee、无线音频、智能能源和家庭自动化等快速发展的市场。


  RFX2401C和RFX2402C是全球首款面向ZigBee/ISM和802.11b/g/n应用的纯CMOS单芯片/单硅片RFeIC。在2011年底成功推出这两款集成电路后，RFaxis很快将开始大批量生产并交付其他七种RFeIC。这将使RFaxis的供货范围拓展到更广的无线/射频领域。
  RFX5000和RFX5000B工作于5GHz 802.11a/n/ac频段，在输出功率为+18dBm时，64QAM/OFDM的误差矢量幅度(EVM)为3%，包括天线开关和输入/输出阻抗匹配网络的所有损耗。


连同高增益(33dB)、高效率(低电流模式下，+17dBm时的电流为170mA)、极低的本底EVM(<1.5%)、一流的热稳定性和配备简单cmos逻辑的多模式控制，RFX5000和RFX5000B的性能优于当今市面上采用包括砷化镓(GaAs)或锗硅(SiGe)在内的任何现有技术的所有5GHz前端解决方案。此外，RFX5000和RFX5000B解决方案与市面上现有的5GHz技术引脚兼容。


<1.5%)、一流的热稳定性和配备简单cmos逻辑的多模式
  RFX8420和RFX8421针对如今已经成为主流智能手机标准功能的双模Wi-Fi/Bluetooth应用进行了设计和优化。RFX8420和RFX8421采用超紧凑的2.5x2.5x0.45mm QFN封装，并与市面上多种基于GaAs的前端模块(FEM)引脚兼容，还可提供先进的射频性能，包括极佳的EVM功率和效率。另外，这些RFeIC的SP3T开关的总插入损耗为0.8dB，且所有的隔直流电容均在芯片上集成。


RFaxis第二代纯CMOS单芯片/单硅片射频前端集成电路的性能优于基于砷化镓/锗硅的射频前端解决方案  RFaxis开始为智能手机和平板电脑用双模Wi-Fi/蓝牙、WLAN 11a/n/ac、无线音频、ZigBee和智能能源/家庭自动化等市场批量生产七种新的CMOS射频前端集成电路
  专注于为无线连接和蜂窝移动市场提供创新型新一代射频(RF)解决方案的无晶圆半导体公司RFaxis日前宣布，该公司将于2012年第四季度开始其第二代纯CMOS射频前端集成电路(RFeIC)的批量生产。新解决方案将服务于智能手机和平板电脑、WLAN 11a/n/ac、ZigBee、无线音频、智能能源和家庭自动化等快速发展的市场。


  RFX2401C和RFX2402C是全球首款面向ZigBee/ISM和802.11b/g/n应用的纯CMOS单芯片/单硅片RFeIC。在2011年底成功推出这两款集成电路后，RFaxis很快将开始大批量生产并交付其他七种RFeIC。这将使RFaxis的供货范围拓展到更广的无线/射频领域。
  RFX5000和RFX5000B工作于5GHz 802.11a/n/ac频段，在输出功率为+18dBm时，64QAM/OFDM的误差矢量幅度(EVM)为3%，包括天线开关和输入/输出阻抗匹配网络的所有损耗。