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SI7149ADP-T1-GE3看规格书，最大Rds（on）=0.0095Ω （VGS=-4.5V）
在平均电流为9A的情况下，消耗功率P=9*9*0.0095=0.7695W 根据SI7149ADP-T1-GE3规格书里面的热阻最大为 25℃/W 因此外壳温度升高25℃/W * 0.7695W = 19℃ 这个意思是说没有这器件，PCB板的温度是40℃，那么加上这个器件之后，器件外壳的温度是40℃+19℃ =59℃ 也就是说如果你的板子本身就不咋烫的话，应该没啥问题。 |
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要看看环境温度多少，一般不要超过0.9倍的结温，要不就要加散热措施了
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根据SI7149ADP-T1-GE3规格书里面的热阻最大为 25℃/W 因此外壳温度升高25℃/W * 0.7695W = 19℃ ------这里有点问题。25℃/W是J-A的热阻，用来描述和计算结温（而不是外壳温度）与环境温度的差值。而且，规格书中25℃/W是工作时间小于10s的参数，如果是长时间工作，应该用规格书中70℃/W这个参数来估算。 θj-a=70℃/W,结温Tj最高150℃，最大功率P=9*9*0.0095=0.7695W，这是已知条件，那么可以推算出允许的最大环境温度Ta=Tj-P*θj-a=150-0.7695*70=96.135℃。 当然，这是个理论计算的最大值，考虑到最大功率值的误差，以及实际PCB铜皮散热面积与规格书标称散热条件（叠层结构、铜皮面积1”x1” FR4）的差异，一定要考虑降额设计（比如最高结温降为125℃，再预留20摄氏度的设计裕量，总计降额45℃，所以环境温度最高96-45=51℃，这里的环境温度是指装配好的整机条件下，MOS管周围空气的温度，而不是指室温，这与整机的结构设计、发热量、散热能力有关）和实际验证。 
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你说的是对的，我确实说错了，好久没算过这个了
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还是加装合适的散热片好
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PCB底层加大散热面积也是一个选择。
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pmos可以直接焊接在PCB上面，再选择根据集温加块散热。
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底部大面积铺铜，可以增加散热片
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PCB板上采取如下措施，即可解决问题。
1. 尽可能地为漏极铺铜，漏极腹下和（5,6,7,8）引脚整体铺铜。 2. 在芯片外围空间适当扩大铺铜面积。 3. 芯片腹部漏极片一定与铺铜可靠焊接。 |
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增加散热片在器件上面，pcb板子bottom层 器件下防止金属散热PAD，电源端防止电阻分一部分功耗
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芯片腹部漏极片一定与铺铜可靠焊接
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